| 发明名称 | 阵列存储器的周边电路体系结构 | ||
| 摘要 | 一种字线驱动单元连接至少一条字线，包含至少一个扩散区域以及形成在该至少一个扩散区域的至少一个字线驱动半导体切换元件。该至少一个字线驱动半导体切换元件有着一沟道宽度以垂直于该至少一条字线的长轴的方式排列。 | ||
| 申请公布号 | CN1870173B | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN200510137098.6 | 申请日期 | 2005.12.23 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 余传英;洪俊雄;罗思觉;郭乃萍;陈耕晖 |
| 分类号 | G11C8/00(2006.01)I;G11C8/08(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I | 主分类号 | G11C8/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 一种存储电路结构，包含：多条字线，定义出长轴；存储单元阵列，利用至少一条该字线寻址；以及多个字线驱动单元安排在存储单元阵列的周边区域，每一该字线驱动单元，包括：多个扩散区域，形成多个字线驱动半导体切换元件；每一该字线驱动半导体切换元件有着一沟道宽度；以及每一该字线驱动半导体切换元件，被安排成以其对应的该沟道宽度的方向垂直于该字线长轴的方式排列，其中每一所述扩散区域的隔离区域宽度界定每一字线驱动半导体切换元件上的各自沟道宽度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||