发明名称 |
一种背表面电介质钝化的太阳电池及其制备方法 |
摘要 |
一种背表面电介质钝化的太阳电池,其背表面的背电场P+(4)为局域分布,其背表面的金属Al电极(5)通过背电场P+(4)与硅局域接触。将P型硅衬底经过制绒、单面扩散、等离子体刻蚀去边,清洗,前表面沉积减反射层,丝网印刷,然后烧结。其特征是,在沉积前表面减反射层之后,在P型硅衬底的背表面沉积Al2O3钝化膜,激光烧蚀Al2O3钝化膜形成金属接触图形,然后丝印前后电极。 |
申请公布号 |
CN101794833A |
申请公布日期 |
2010.08.04 |
申请号 |
CN201010117555.6 |
申请日期 |
2010.03.03 |
申请人 |
中国科学院电工研究所 |
发明人 |
周春兰;王文静 |
分类号 |
H01L31/052(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/052(2006.01)I |
代理机构 |
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 |
代理人 |
关玲 |
主权项 |
一种背表面电介质钝化的太阳电池,其特征是:所述太阳电池从太阳光照射面,即前表面起向下排列顺序依次为:减反射层(1)、前电极(2)、n+发射极(3)、P型硅区域(4);太阳电池的非太阳光入射面,即背表面,在P型硅区域4的下面依次为局域背电场P+(5)、金属Al电极(6)、电介质钝化膜Al2O3(7);所述背电场P+(5)为局域分布(因此称为局域背电场),所述的背表面的金属Al电极(6)通过局域背电场P+(5)与硅接触。 |
地址 |
100080 北京市海淀区中关村北二条6号 |