| 发明名称 | 半导体器件和用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件，其具有：至少一个光学有源第一区域(112)，用于在至少一个发射方向上发射电磁辐射(130)；以及至少一个光学有源第二区域(122)，用于在所述至少一个发射方向上发射电磁辐射(130)。在此，第一区域(112)设置在第一层(110)中，而第二区域(122)设置在第二层(120)中，其中第二层(120)在发射方向上设置在第一层(110)之上，并且具有与第一区域(112)关联的第一穿通区域(124)，该第一穿通区域至少部分对于第一区域(112)的电磁辐射(130)是能够透射的。 | ||
| 申请公布号 | CN101796638A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN200880105580.3 | 申请日期 | 2008.08.29 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 西格弗里德·赫尔曼 |
| 分类号 | H01L25/075(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/075(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 陈炜;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体器件，具有：-至少一个光学有源第一区域(112)，用于在至少一个发射方向上发射电磁辐射(130)，以及-至少一个光学有源第二区域(122)，用于在所述至少一个发射方向上发射电磁辐射(130)，其特征在于，-第一区域(112)设置在第一层(110)中，而第二区域(122)设置在第二层(120)中，其中第二层(120)在发射方向上设置在第一层(110)之上，并且具有与第一区域(112)关联的第一穿通区域(124)，该第一穿通区域至少部分对于第一区域(112)的电磁辐射(130)是能够透射的。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||