发明名称 | 制造半导体芯片的方法以及包含通过该方法获得的半导体芯片的半导体器件 | ||
摘要 | 本发明公开了一种将半导体晶片切片的方法。所述方法抑制芯片被晶片切片期间产生的硅尘污染,从而抑制在后续的引线结合步骤中的缺陷,例如在结合引线中的缺陷、半导体器件的污染等。所述用于切片半导体晶片的方法包括步骤:在将所述晶片切片之前将含氟聚合物涂层剂施加到其上形成有电路图案的晶片的一个表面上以形成聚合物涂层。 | ||
申请公布号 | CN101796629A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
申请号 | CN200880104976.6 | 申请日期 | 2008.08.21 |
申请人 | 3M创新有限公司 | 发明人 | 赵光济;张敬豪 |
分类号 | H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 郭国清;樊卫民 |
主权项 | 一种用于制造半导体芯片的方法,该方法包括:在所述半导体芯片的表面上形成含氟聚合物涂层;将所述晶片切片;以及移除所述含氟聚合物涂层。 | ||
地址 | 美国明尼苏达州 |