发明名称 |
大角度离子注入抑制SOI MOS器件浮体效应的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种大角度离子注入抑制SOI MOS器件浮体效应的方法,其特征在于:对具有埋层绝缘层的NMOS结构以倾斜的方式进行离子注入,使所述NMOS结构的源区下部,所述埋层绝缘层之上的区域形成重掺杂的P型区,进行所述离子注入时以垂直于所述NMOS结构表面的竖直面为基准,倾斜角度在大于15度小于等于45度的范围内。本发明通过大角度离子注入的方法,在源区下方制备重掺杂的P型区,源区下方的重掺杂P区与重掺杂的N型源区形成隧道结,从而有效抑制浮体效应,同时还具有不会增加芯片面积,制造工艺简单,与常规CMOS工艺相兼容等优点。 |
申请公布号 |
CN101794712A |
申请公布日期 |
2010.08.04 |
申请号 |
CN201010102138.4 |
申请日期 |
2010.01.28 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
肖德元;罗杰馨;陈静;伍青青;王曦 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/74(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
余明伟;冯珺 |
主权项 |
一种大角度离子注入抑制SOI MOS器件浮体效应的方法,其特征在于:对具有埋层绝缘层的NMOS结构以倾斜的方式进行离子注入,使所述NMOS结构的源区下部,所述埋层绝缘层之上的区域形成重掺杂的P型区,进行所述离子注入时以垂直于所述NMOS结构表面的竖直面为基准,倾斜角度在大于15度小于等于45度的范围内。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |