发明名称 | 包括功率半导体管芯和热沉的子组件及其形成方法 | ||
摘要 | 一种半导体组件包括第一子组件,该第一子组件包括热沉和第一构图聚合物层,第一构图聚合物层设置在热沉表面上,以限定第一表面的暴露部。第一表面的暴露部从第一层沿着热沉表面径向向内延伸。子组件还包括第二构图聚合物层,第二构图聚合物层设置在第一构图聚合物层的径向靠外的部分上。第一层和第二层限定用于容纳功率半导体管芯的单元。在热沉表面的暴露部上以及单元中设置焊料材料。在第一层的径向向内的部分上的单元内设置功率半导体管芯,并且功率半导体管芯通过焊料材料热耦合到热沉。 | ||
申请公布号 | CN101796612A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
申请号 | CN200880104972.8 | 申请日期 | 2008.07.09 |
申请人 | 威世通用半导体公司 | 发明人 | 江挽澜;林光汉;彭智平 |
分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 关兆辉;谢丽娜 |
主权项 | 一种半导体组件,包括:i.第一子组件,包括:热沉;第一构图聚合物层,所述第一构图聚合物层设置在所述热沉的表面上,以限定第一表面的暴露部分,所述第一表面的暴露部分从所述第一层沿着所述热沉表面径向向内延伸;第二构图聚合物层,所述第二构图聚合物层设置在所述第一构图聚合物层的径向靠外的部分上,所述第一层和所述第二层限定了用于容纳功率半导体管芯的单元;ii.焊料材料,所述焊料材料设置在所述热沉表面的暴露部上和所述单元中;以及iii.功率半导体管芯,所述功率半导体管芯位于所述第一层的径向向内的部分上的单元内,并且通过所述焊料材料热耦合到所述热沉。 | ||
地址 | 美国纽约 |