发明名称 |
利用电可擦可编程只读存储器的缺陷表制造存储器模块的方法 |
摘要 |
本发明是一种利用电可擦可编程只读存储器的缺陷表制造存储器模块的方法,通过焊接部份良好动态随机存取存储器芯片于存储器模块基板以制造存储器模块。部份良好动态随机存取存储器芯片具有数量低于检测阈值(例如10%)的缺陷存储器单元。已封装动态随机存取存储器芯片经过随意地预先筛选后,当发现缺陷的数目少于前述检测阈值时,则视为通过检测。在检测期间,产生缺陷表并将其写入至存储器模块上的串行存在检测电可擦可编程只读存储器。于开机时,借助目标系统检测器读取缺陷表,存储器模块于目标系统检测器上做最后检测,并将存储器存取缺陷表所识别的缺陷存储器位置重新导向。存储器可通过烧制或于不同温度及电压下检测以增加可靠性。 |
申请公布号 |
CN101794621A |
申请公布日期 |
2010.08.04 |
申请号 |
CN200910003803.1 |
申请日期 |
2009.02.01 |
申请人 |
金士顿科技(上海)有限公司 |
发明人 |
R·S·柯;M·陈;D·孙 |
分类号 |
G11C29/00(2006.01)I;G11C16/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
任永武 |
主权项 |
一种通过部份良好存储器芯片制造部份良好存储器模块的制造方法,其特征在于包含:接收部份已检测存储器芯片,其中所述部份已检测存储器芯片是未经过全面检测探测出全部缺陷的封装片;通过运用于所述部份已检测存储器芯片的初步检测模式,预先检测所述部份已检测存储器芯片,其中所述初步检试模式是用于检测缺陷存储块;计数于预先检测时通过初步检测模式探测出的缺陷存储块数量;丢弃预先检测时缺陷存储块数量大于检测阈值的存储器芯片;将预先检测时缺陷存储块数量小于检测阈值的存储器芯片视为部份良好存储器芯片;对于所述部份良好存储器芯片,将所述部份良好存储器芯片焊接至存储器模块基板上,形成部份良好存储器模块;将非挥发性存储器芯片焊接至所述部份良好存储器模块;通过模块检测模式检测所述部份良好存储器模块定位缺陷存储器位置;创建缺陷表,所述缺陷表用于表示通过模块检测模式由所述部份良好存储器模块中定位的缺陷存储器位置;将所述缺陷表编程到所述非挥发性存储器芯片,形成已编程部份良好存储器模块;将所述已编程部份良好存储器模块插入到目标检测系统上的模块检测插座;以及通过将所述非挥发性存储器芯片的缺陷表初步复制到所述目标检测系统及通过于所述目标检测系统上初步执行检测程序,所述目标系统检测所述可编程部份良好存储器模块,所述检测程序于所述非挥发性存储器芯片产生存取访问,所述目标检测系统重新导向存取访问,以通过所述缺陷表识别所述缺陷存储器位置;藉此,部份良好存储器芯片组成所述部份良好存储器模块,目标系统从所述部份良好存储器模块上的非挥发性存储器芯片读取所述缺陷表。 |
地址 |
200131 中国上海市外高桥保税区英伦路1号 |