| 发明名称 | 感应耦合等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置，其能够应对被处理基板的大型化。该等离子体处理装置包括：收容被处理基板，实施等离子体处理的处理室(4)；在处理室(4)内载置被处理基板G的载置台(23)；向处理室(4)内供给处理气体的处理气体供给系统(20)；对处理室(4)内进行排气的排气系统(30)；在处理室(4)内形成感应电场的高频天线(13)；和向高频天线(13)供给高频电力的第一高频电源(15)，在高频天线(13)和处理室(4)之间，形成有与构成处理室(4)的主体容器(1)绝缘地形成的为非磁性体的导电性的金属窗(2)。 | ||
| 申请公布号 | CN101795528A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN201010003194.2 | 申请日期 | 2010.01.14 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 佐佐木和男 |
| 分类号 | H05H1/46(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I | 主分类号 | H05H1/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种感应耦合等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，实施等离子体处理的处理室；在所述处理室内载置被处理基板的载置台；向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统；对所述处理室内进行排气的排气系统；在所述处理室内形成感应电场的高频天线；和向所述高频天线供给高频电力的第一高频电源，在所述高频天线与所述处理室之间，形成有与构成所述处理室的主体容器绝缘地形成的为非磁性体的导电性的金属窗。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||