发明名称 | 管型相变化存储器形成方法 | ||
摘要 | 一种存储器单元设备,包括下电极,包括相变化材料的管型部件及与管型部件接触的上电极。管型部件内侧有电绝缘及热绝缘材料。本发明还公开包括管型相变化存储器的集成电路。 | ||
申请公布号 | CN1967897B | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
申请号 | CN200610148450.0 | 申请日期 | 2006.11.10 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜 |
分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 韩宏 |
主权项 | 一种形成存储单元的方法,其包含:在源极终端或漏极终端上形成填充层;形成穿透该填充层至该源极终端或漏极终端的通孔;在该通孔内填满导体,以形成导电插头;将部分该导体从该通孔内移除,其中该通孔内的该导电插头的其余部分做为下电极;在该通孔内形成可编程电阻材料的共形层,该共形层包含管型构件;以及在该填充层上形成与该管型构件相接的上电极。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 |