半导体器件微图案的形成方法

摘要

本发明涉及形成半导体器件微图案的方法。根据本发明的一个方面，在其上形成有蚀刻目标层的半导体衬底上形成具有不同曝光类型的第一光刻胶层和第二光刻胶层，在第二光刻胶层和第一光刻胶层上实施曝光工艺。通过显影第二光刻胶层形成第二光刻胶图案。通过实施采用第二光刻胶图案作为蚀刻掩模的蚀刻工艺来蚀刻第一光刻胶层，以形成第一光刻胶图案。通过显影第一光刻胶图案形成辅助图案。

主权项

一种形成半导体器件微图案的方法，所述方法包括：在其上形成有蚀刻目标层的半导体衬底上形成具有不同曝光类型的第一光刻胶层和第二光刻胶层；在所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层上实施曝光工艺以分别在所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层中形成第二曝光区域和第一曝光区域，所述第二曝光区域和所述第一曝光区域以特定的间隔彼此分隔；通过显影所述第二光刻胶层形成第二光刻胶图案；通过实施采用所述第二光刻胶图案作为蚀刻掩模的蚀刻工艺来蚀刻所述第一光刻胶层，以形成第一光刻胶图案；通过显影所述第一光刻胶图案形成辅助图案；和通过采用所述辅助图案来蚀刻所述蚀刻目标层。