| 发明名称 | 非易失性存储器件及其驱动方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种半导体技术，且更具体地，披露了一种非易失性存储器件及其驱动方法。该非易失性存储器件包括在第一型阱上形成的浮栅，以及在第二型阱上形成且串联连接至浮栅的晶体管。晶体管中的一个是用于编程操作和擦除操作的第一晶体管，而另一个是用于读取操作的第二晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN101794784A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN200910261764.5 | 申请日期 | 2009.12.29 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 郑真孝 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人 | 宋子良;李占平 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件，包括：浮栅，在第一型阱上形成；以及晶体管，在第二型阱上形成，且串联连接至所述浮栅，其中，所述晶体管中的一个为用于编程操作和擦除操作的第一晶体管，而另一个为用于读取操作的第二晶体管。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||