发明名称 |
提纯硅的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种提纯硅的方法,该方法步骤为:向熔融态的待提纯硅加入占待提纯硅的重量百分比10%的熔融态Na2CO3,搅拌10min后,在混合物熔体的表面加覆盖剂后密闭;开始监控并记录待提纯硅的温度;当温度降至1490-1510℃时,减小降温速率;当温度降至硅的熔点时,恒定加热功率;当硅开始降温时,停止加热;自然冷却到室温,取出固态硅;室温下将硅击碎后加入混酸溶液,置通风橱中静置12小时;将已被浸蚀碎裂的硅晶粒与酸液分离后加水浸泡,水洗至中性,过滤、烘干得到高纯硅成品。与传统的定向凝固和区熔相比,极大地提高了凝固过程中杂质的分凝效率,极大地缩短了提纯过程,并提高了纯材料的实收率。 |
申请公布号 |
CN101792143A |
申请公布日期 |
2010.08.04 |
申请号 |
CN201010132284.1 |
申请日期 |
2010.03.24 |
申请人 |
姜学昭 |
发明人 |
姜学昭 |
分类号 |
C01B33/039(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/039(2006.01)I |
代理机构 |
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 |
代理人 |
胡福恒 |
主权项 |
一种提纯硅的方法,其特征在于,步骤如下:(1)向熔融态的待提纯硅加入占待提纯硅的重量百分比10%的熔融态Na2CO3,搅拌10min后,在混合物熔体的表面加覆盖剂后密闭;(2)开始监控并记录待提纯硅的温度;(3)当温度降至1490-1510℃时,减小降温速率;(4)当温度降至硅的熔点时,恒定加热功率;(5)当硅开始降温时,停止加热;(6)将硅自然冷却到室温,取出结晶的固态硅;(7)室温下将结晶的硅击碎后浸没于混酸溶液中,置通风橱中静置12小时;(8)将经过酸浸蚀的硅晶粒与酸液分离后加水浸泡,水洗至中性,过滤、烘干得到高纯硅成品。 |
地址 |
102209 北京市昌平北七家名流花园竹苑4号楼2门102 |