发明名称 |
偏硅酸高温加压脱水的工艺 |
摘要 |
一种偏硅酸高温加压脱水的工艺,采用工业用偏硅酸钠溶液经高温加压沉淀,脱除大量结晶水,获得的偏硅酸经酸洗除杂,高纯水洗涤脱酸而获得结晶水含量低,杂质Al,Ti、Fe被有效除去的高纯偏硅酸,克服了现有工业偏硅酸脱水、提纯方法的不足,本发明提出的工艺流程短,容易实现工业化生产,同时脱杂过程中产出的沉淀后液、酸洗后液经合并中和后蒸发结晶回收氯化钠,工艺过程形成封闭循环体系,对环境不构成污染,降低了生产成本。 |
申请公布号 |
CN101792146A |
申请公布日期 |
2010.08.04 |
申请号 |
CN201010039104.5 |
申请日期 |
2010.01.04 |
申请人 |
云南冶金集团股份有限公司技术中心 |
发明人 |
杨大锦;臧健;赵群;李怀仁;和晓才;李永刚;李永佳;李小英 |
分类号 |
C01B33/12(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/12(2006.01)I |
代理机构 |
昆明正原专利代理有限责任公司 53100 |
代理人 |
陈左 |
主权项 |
一种偏硅酸高温加压脱水的工艺,其特征在于步骤是:(1)工业偏硅酸钠溶液中加入浓度10~20g/L的沉淀剂氧化钙,直接加压高温搅拌沉淀,控制温度为120~180℃,压力为0.4~1.4MPa,沉淀终点pH到9.0~10.0后,降至常温常压,过滤,得到脱水偏硅酸钠和滤液;(2)高温加压沉淀出来的脱水偏硅酸与浓度50~100g/L硫酸溶液一起调浆,加入搅拌槽进行酸洗脱杂处理,控制温度50~80℃,常压,反应时间为2~5h,反应时间到后过滤,获得脱杂质后的偏硅酸和滤液;(3)酸洗脱杂后的偏硅酸与纯水一起调浆,加入搅拌槽,控制温度50~80℃,常压,反应时间为2~5h,反应时间到后进行过滤,获得合格的偏硅酸和滤液。 |
地址 |
650051 云南省昆明市五华区圆通北路86号 |