| 发明名称 | 场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 提供一种场效应晶体管，该场效应晶体管包含栅电极(15)、源电极(13)、漏电极(14)和沟道层(11)，以通过向栅电极(15)施加电压控制在源电极(13)和漏电极(14)之间流动的电流。沟道层(11)由包含In和Si并且具有不小于0.05且不大于0.40的由Si/(In+Si)表示的成分比的非晶氧化物构成。 | ||
| 申请公布号 | CN101796644A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN200880105254.2 | 申请日期 | 2008.08.29 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 岩崎达哉;板垣奈穗 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，该场效应晶体管包含栅电极、源电极、漏电极和沟道层，以通过向栅电极施加电压控制在源电极和漏电极之间流动的电流，其特征在于，形成沟道层的非晶氧化物由包含In和Si并且具有不小于0.05且不大于0.40的由Si/(In+Si)表示的成分比的非晶氧化物构成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||