| 发明名称 | 多重场板LDMOS器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种多重场板LDMOS器件，包括半导体本体，半导体本体表面设有至少两个场板，每个场板具有与半导体本体表面平行的水平部分，不同场板的水平部分与半导体本体表面之间的距离不等。在相同的源漏击穿电压要求下，运用多重场板的LDMOS器件可以显著增加N型漂移区的掺杂浓度，器件的导通电阻因而可以得到显著的改善。 | ||
| 申请公布号 | CN201540894U | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN200920269322.0 | 申请日期 | 2009.11.03 |
| 申请人 | 苏州远创达科技有限公司;远创达科技(香港)有限公司;远创达科技(开曼)有限公司 | 发明人 | 陈强;马强 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 范晴 |
| 主权项 | 一种多重场板LDMOS器件，包括半导体本体(1)，其特征在于：所述半导体本体(1)表面设有至少两个场板(2)，所述每个场板(2)具有与半导体本体(1)表面平行的水平部分(21)，不同场板(2)的水平部分(21)与半导体本体(1)表面之间的距离不等。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区林泉街399号东大苏州研究院1号楼408室 | ||