具有双浅沟槽隔离和低基极电阻的双极晶体管

摘要

一种双极晶体管结构包括具有在其中设置的至少一对相邻的第一浅沟槽隔离(STI)区域(14)的半导体衬底(12)。所述相邻的第一STI区域对在所述衬底中限定有源区域(16)。所述结构还包括在所述衬底的所述有源区域中设置的集电极(24)、在所述有源区域中的所述半导体衬底的表面的顶上设置的基极层(26)、以及在所述基极层上设置的突出的外部基极(48)。根据本发明，所述突出的外部基极具有到所述基极层的一部分的开口。发射极(54)位于所述开口中并在所述构图的突出的外部基极的一部分上延伸；所述发射极与所述突出的外部基极分开并与其隔离。此外，除了所述第一STI区域之外，在所述半导体衬底中还存在第二浅沟槽隔离(STI)区域(42’)，其从每对所述第一浅沟槽隔离区域向内朝向所述集电极延伸。所述第二STI区域具有倾斜的内部侧壁表面。

主权项

一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有在其中设置的至少一对相邻的第一浅沟槽隔离区域，相邻的第一浅沟槽隔离区域对在所述衬底中限定了有源区域；集电极，设置在所述衬底的所述有源区域中的掩埋区域中，所述掩埋区域具有梯度分布的掺杂剂；基极层，设置在所述有源区域中的所述半导体衬底的表面的顶上；突出的外部基极，设置在所述基极层上，所述突出的外部基极具有到所述基极层的一部分的开口；发射极，位于所述开口中并在所述突出的外部基极的一部分之上延伸，所述发射极与所述突出的外部基极分开并与其隔离；以及第二浅沟槽隔离区域，在所述半导体衬底中从每对所述第一浅沟槽隔离区域向内朝向所述集电极延伸，其中所述第二浅沟槽隔离区域具有邻近所述集电极的倾斜的内部侧壁表面，以及其中所述半导体衬底的上部被保留在所述基极层之下。