用于增强高速数据存取中刷新操作的半导体存储装置

摘要

一种用于刷新存储装置内所储存数据的半导体装置，包含：单元区，具有N+1个单位单元块，每一个单位单元块内都有M个分别耦合到多个单位单元上的字线；终端块，具有N+1个单位终端块，每一个单位终端块都储存有至少一个代表储存有数据的行地址的实体单元块地址；及控制块，用于控制该终端块及预定单元块表，以刷新耦合于一字线上的多个单位单元内的数据，以响应该实体单元块地址。

主权项

一种用于刷新存储装置内所储存数据的半导体装置，包含：单元区，具有N+1个单位单元块，每一个单位单元块内都有M个分别耦合到多个单位单元上的字线，其中N个单位单元块对应于逻辑单元块地址，且一个单位单元块被增加以用于高速存取数据；终端块，具有N+1个单位终端块，每一个单位终端块都储存有至少一个存储有数据的逻辑单元块地址，其中所述终端块接收行地址，感测所指定的用于对N个单位单元块之一进行存取操作的逻辑单元块地址，并将该逻辑单元块地址转换成所指定的用于对N+1个单位单元块之一进行存取操作的实体单元块地址；及控制块，用于控制该终端块及预定单元块表，以响应该实体单元块地址来刷新耦合于一字线上的多个单位单元内的数据，其中所述预定单元块表包括M个寄存器，所述M个寄存器用于储存M个预定字线分别应指定到N+1个单位单元块中的哪一个单位单元块的信息；并且其中所述终端块存储对应于N个单位单元块的逻辑单元块地址以及代表与所存储的逻辑单元块地址有关的数据的更新操作的信息，并且刷新操作在除了被指定为M个预定字线的字线之外的存储有数据的字线上被执行。