发明名称 |
薄膜太阳电池的膜系、薄膜太阳电池及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜太阳电池的膜系,并公开了采用该膜系的薄膜太阳电池及其制造方法。本发明膜系包括一个p-i-n光电单元,所述p-i-n光电单元的p层上设置有重掺杂的P+层,所述p-i-n光电单元的n层上设置有重掺杂的N+层,该膜系结构为P+/p-i-n/N+。重掺杂的P+层和N+层有减低带电体复合性和滞留性的作用,同时因减低i层中电场的扭曲度而增加了电洞与电子在半导体中的漂移速度。本发明薄膜太阳电池的膜系光电转换率高,成本低,本发明薄膜太阳电池的膜系的光电转换率达7.5%。 |
申请公布号 |
CN101794828A |
申请公布日期 |
2010.08.04 |
申请号 |
CN201010122960.7 |
申请日期 |
2010.03.12 |
申请人 |
河南阿格斯新能源有限公司 |
发明人 |
赵一辉 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 |
代理人 |
陈浩 |
主权项 |
一种薄膜太阳电池的膜系,其特征在于,该膜系包括一个p-i-n光电单元,所述p-i-n光电单元的p层上设置有重掺杂的P+层,所述p-i-n光电单元的n层上设置有重掺杂的N+层,该膜系结构为P+/p-i-n/N+。 |
地址 |
450001 河南省郑州市高新区合欢街81号 |