发明名称 显示设备及其制造方法
摘要 一种显示设备包括:形成于基板之上且用作栅极电极的第一布线;形成于第一布线之上的栅极绝缘膜;设置在栅极绝缘膜之上的第二布线和电极层;以及形成于第二布线和电极层之间的高阻抗氧化物半导体层。在该结构中,第二布线是使用低阻抗氧化物半导体层和低阻抗氧化物半导体层上的导电层的层叠体而构成的,并且电极层是使用低阻抗氧化物半导体层和层叠的导电层的层叠体而构成的,使得用作低阻抗氧化物半导体层的像素电极的区域露出来。
申请公布号 CN101794770A 申请公布日期 2010.08.04
申请号 CN200910262549.7 申请日期 2009.12.24
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 荒井康行
分类号 H01L27/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 李玲
主权项 一种显示设备,包括:在基板之上形成的栅极电极;在栅极电极之上形成的栅极绝缘膜;在栅极绝缘膜之上设置的布线和电极层;以及在栅极绝缘膜之上的布线和电极层之间形成的高阻抗氧化物半导体层,其中,所述布线包括第一低阻抗氧化物半导体层以及在第一低阻抗氧化物半导体层之上的第一导电层,以及其中,所述电极层包括第二低阻抗氧化物半导体层以及用于覆盖第二低阻抗氧化物半导体层的第一部分的第二导电层,其中,第二低阻抗氧化物半导体层的第二部分被安排成起像素电极的作用。
地址 日本神奈川县