| 发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括：于一基底前侧上的半导体基底的上方形成一界面层；于该界面层上形成高介电常数(high-k)介电层；于该高介电常数介电层上形成一盖层；于该盖层上形成一金属层；于该金属层上形成一第一多晶硅层；以及于该基底背侧上的半导体基底的上方形成一第二多晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN101794711A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN200910169145.3 | 申请日期 | 2009.09.11 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林益安;陈嘉仁;陈建豪;黄国泰;陈薏新;林志忠;林毓超 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种半导体元件的制造方法，包括：于一基底前侧上的半导体基底的上方形成一界面层；于该界面层上形成高介电常数介电层；于该高介电常数介电层上形成一盖层；于该盖层上形成一金属层；于该金属层上形成一第一多晶硅层；以及于该基底背侧上的半导体基底的上方形成一第二多晶硅层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||