| 发明名称 | 用于制造数据存储介质的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造数据存储介质的方法，该方法包括提供衬底、在沉积上沉积包括磁性材料和非磁性材料的第一层、在第一层上沉积包括磁性材料和非磁性材料的第二层、并加热第二层和第一层。还提供根据本发明的方法构造的数据存储介质。 | ||
| 申请公布号 | CN101794600A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN201010120435.1 | 申请日期 | 2010.01.27 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | 彭应国 |
| 分类号 | G11B7/26(2006.01)I | 主分类号 | G11B7/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈哲锋;袁逸 |
| 主权项 | 一种制造数据存储介质的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积第一层，所述第一层包括磁性材料和非磁性材料；加热所述第一层；在所述第一层上沉积第二层，所述第二层包括磁性材料和非磁性材料；以及加热所述第二层和所述第一层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||