| 发明名称 | 单片式半导体开关及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及单片集成半导体开关及其制作方法。一方面是关于单片集成半导体开关及其制作方法。一个实施例提供具有第一和第二FET的一个半导体管芯。该第一FET的源极/漏极之一与该第二FET的源极/漏极之一分别电耦合到该一个半导体管芯的第一侧处的至少一个接触区域。该第一FET的源极/漏极中的另一个、该第一FET的栅极、该第二FET的源极/漏极中的另一个以及该第二FET的栅极分别电耦合到该一个半导体管芯的与第一侧相对的第二侧处的接触区域。该第一FET的源极/漏极中的另一个的接触区域、该第一FET的栅极的接触区域、该第二FET的源极/漏极中的另一个的接触区域以及该第二FET的栅极的接触区域分别彼此电隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN101794781A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN201010104538.9 | 申请日期 | 2010.01.27 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | O·黑伯伦;W·里杰;L·戈尔根斯;M·波尔兹尔;J·肖斯沃尔;J·克伦里 |
| 分类号 | H01L27/085(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/085(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包含：一个半导体管芯，具有彼此相对的第一侧和第二侧，且包含第一和第二FET；其中该第一FET的第一源极/漏极与该第二FET的第一源极/漏极电耦合到该一个半导体管芯的第一侧处的至少一个接触区域；其中该第一FET的第二源极/漏极、该第一FET的栅极、该第二FET的第二源极/漏极以及该第二FET的栅极电耦合到该一个半导体管芯的第二侧处的接触区域；其中该第一FET的第二源极/漏极的接触区域、第一FET的栅极的接触区域、该第二FET的第二源极/漏极的接触区域以及该第二FET的栅极的接触区域彼此电隔离。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||