| 发明名称 | Ⅲ族氮化物结构体以及Ⅲ族氮化物半导体微细柱状晶体的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种Ⅲ族氮化物结构体，其包括：在基板(102)表面的规定区域上形成的具有由金属构成的表面的膜(108)；以及至少在基板(102)表面上形成的由Ⅲ族氮化物半导体构成的微细柱状晶体(110)。在没有形成所述膜(108)的所述基板(102)表面上的所述微细柱状晶体(110)的空间占有率比所述膜(108)上的所述微细柱状晶体(110)的空间占有率高。 | ||
| 申请公布号 | CN101796212A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN200880105385.0 | 申请日期 | 2008.08.27 |
| 申请人 | 学校法人上智学院 | 发明人 | 岸野克巳;菊池昭彦 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 吴小瑛;李英艳 |
| 主权项 | 一种III族氮化物结构体，包含：在基板表面的规定区域形成的具有由金属构成的表面的膜；以及至少形成在所述基板表面上的由III族氮化物半导体构成的微细柱状晶体，没有形成所述膜的所述基板表面上的所述微细柱状晶体的空间占有率比所述膜上的所述微细柱状晶体的空间占有率高。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||