发明名称 一种在铝及其合金阳极氧化膜内沉积含铈化合物的方法
摘要 本发明公开一种在铝及其合金阳极氧化膜内沉积含铈化合物的方法,能使铈化合物均匀分布在铝及其合金的阳极氧化膜内。本发明的流程主要包括铝及其合金表面的前处理,阳极氧化,交流沉积含铈化合物,封闭处理。涉及的发明内容主要是在阳极氧化工序与封孔工序之间增加交流沉积含铈化合物的工序。该方法适用于各种铝及其合金在阳极氧化中形成多孔氧化膜的制备工艺。交流沉积工序中的溶液为含3价或4价铈离子的水溶性铈盐,或其共混物,并加入少量的氧化剂。本发明工艺简单、操作方便、投资少。可在原有的氧化工艺车间增设低压交流电源即可。
申请公布号 CN101275265B 申请公布日期 2010.08.04
申请号 CN200710159330.5 申请日期 2007.12.29
申请人 大连海事大学 发明人 梁成浩;陈婉;黄乃宝
分类号 C25D11/20(2006.01)I 主分类号 C25D11/20(2006.01)I
代理机构 大连八方知识产权代理有限公司 21226 代理人 卫茂才
主权项 一种在铝及其合金阳极氧化膜内沉积含铈化合物的方法,其特征在于,包括:铝及其合金的前处理,阳极氧化处理,交流沉积含铈化合物处理,封闭处理;交流沉积的溶液为含铈的水溶性溶液,其溶液的组成为含3价或4价的铈盐,为Ce(NO3)3,CeCl3,Ce(SO4)2中的一种或其混合物,若单独使用某一铈盐时,其含量为0.5~5g/L,若选用混合铈盐,铈盐的总质量不超过6g/L,并添加少量的添加剂作为氧化剂,所选用的氧化剂主要有双水氧,其含量为2~8mL/L,浓度为35%,阳极氧化处理所用的酸是单独的硫酸,磷酸或其混酸或添加有机酸,交流沉积所用的电源为50赫兹的正弦交流电,电压为5~20伏,交流沉积的溶液的温度为5~40℃,交流沉积的时间为1~20分钟,阳极氧化后的氧化膜的厚度大于5微米。
地址 116026 辽宁省大连市甘井子区凌海路1号
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