发明名称 清洁组成物;CLEANING COMPOSITION
摘要 本发明之清洁组成物特征为含N-羟基甲醯胺。此清洁组成物可易于在短时间内在蚀刻程序后移除残留在基板上之图样化光阻光罩或光阻残渣、或在蚀刻程序及后续之去灰程序后移除光阻残渣,而不造成电线材料与绝缘膜腐蚀,因而确保精密处理而提供高精确度线路。
申请公布号 TWI328031 申请公布日期 2010.08.01
申请号 TW092124540 申请日期 2003.09.05
申请人 三菱瓦斯化学股份有限公司 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 日本 发明人 池本一人
分类号 主分类号
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 1.一种清洁组成物,其系含有0.001至60重量%的N-羟基甲醯胺、0至99.999重量%的硷性化合物、0至95重量%的有机溶剂,且N-羟基甲醯胺具有下式(2)之结构, ;2.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其中硷性化合物为无金属元素。 ;3.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其中硷性化合物为至少一种选自烷胺、烷醇胺、多胺、羟基胺化合物、环形胺、及四级铵盐之化合物。 ;4.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其进一步含腐蚀抑制剂。 ;5.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其进一步含0.0001至30重量%的具250或更高平均分子量之胺聚合物。 ;6.如申请专利范围第5项之清洁组成物,其中胺聚合物为至少一种选自聚烯丙胺、聚乙二亚胺、与聚乙烯胺之聚合物。 ;7.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其进一步含具下式(1)表示之羟甲胺基结构之化合物:其中R 1 与R 2 各独立地为氢或具1至12个碳原子之取代基,R 1 与R 2 视情况地彼此键结与氮一起形成具2至12个碳原子之环结构。 ;8.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其进一步含水。 ;9.一种清洁半导体积体电路或液晶显示装置之基板之方法,此方法包括使此基板接触如申请专利范围第1至8项中任一项之清洁组成物之步骤。
地址 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 日本