发明名称 扬声机构及应用其之电子装置;SOUND BROADCASTING MECHANISM AND ELECTRIC DEVICE USING THE SAME
摘要 一种扬声机构及应用其之电子装置。扬声机构包括一音箱、一扬声元件及一声音补偿元件。扬声元件系设置于音箱表面。扬声元件用以发出一声音讯号。声音补偿元件系设置于音箱表面。声音补偿元件包括一共振薄膜及一增重元件。共振薄膜系可与声音讯号共振于一共振频率范围,以补偿声音讯号于共振频率范围之声音强度。增重元件系贴附于共振薄膜之表面。增重元件之重量系与共振频率范围相关。
申请公布号 TWI328402 申请公布日期 2010.08.01
申请号 TW096101334 申请日期 2007.01.12
申请人 华硕电脑股份有限公司 ASUSTEK COMPUTER INC. 台北市北投区立德路150号;国立交通大学 NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY 新竹市大学路1001号 发明人 游文鼎;白明宪;陈荣亮
分类号 主分类号
代理机构 代理人 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2
主权项 1.一种扬声机构,包括:一音箱;一扬声元件,系设置于该音箱表面,该扬声元件用以发出一声音讯号;以及一声音补偿元件,系设置于该音箱表面,该声音补偿元件包括:一共振薄膜,系可与该声音讯号共振于一共振频率范围,以补偿该声音讯号于该共振频率范围之声音强度;及一增重元件,系贴附于该共振薄膜之表面,该增重元件之重量系与该共振频率范围相关。 ;2.如申请专利范围第1项所述之扬声机构,其中该共振薄膜及该音箱系为一体成型之结构。 ;3.如申请专利范围第1项所述之扬声机构,其中该增重元件之重量系为100~300毫克(mg),该共振频率范围系为400赫(Hz)至该扬声元件的第一共振点。 ;4.如申请专利范围第1项所述之扬声机构,其中该共振薄膜之材质系与该共振频率范围相关。 ;5.如申请专利范围第1项所述之扬声机构,其中该共振薄膜之中央处具有一第一厚度,该共振薄膜之边缘处具有一第二厚度,该第一厚度大于该二厚度。 ;6.如申请专利范围第1项所述之扬声机构,其中该扬声元件及该声音补偿元件系设置于该音箱之同一侧。 ;7.如申请专利范围第1项所述之扬声机构,其中该扬声元件及该声音补偿元件系设置于该音箱之相对两侧。 ;8.如申请专利范围第1项所述之扬声机构,其中该音箱具有一第一开口及一第二开口,该扬声元件系密封式设置于该第一开口,该声音补偿元件系密封式设置于该第二开口,以使该音箱形成一封闭式空间。 ;9.如申请专利范围第1项所述之扬声机构,其中该音箱具有一第一开口、一第二开口及一第三开口,该扬声元件系密封式设置于该第一开口,该声音补偿元件系密封式设置于该第二开口,该第三开口系密封式耦接于一电子装置之一电路板或一壳体,以使该音箱形成一封闭式空间。 ;10.如申请专利范围第1项所述之扬声机构,其中该共振频率范围系为400赫(Hz)至该扬声元件的第一共振点。 ;11.如申请专利范围第1项所述之扬声机构,更包括:一隔板,系设置于该扬声元件及该声音补偿元件之间,用以使该扬声元件之振动频率及该声音补偿元件之振动频率相位分离。 ;12.如申请专利范围第1项所述之扬声机构,更包括:一导音管,该导音管与该音箱之开口互相连接,以使该声音讯号在该导音管内反射,并使该扬声元件之振动频率及该声音补偿元件之振动频率相位分离。 ;13.如申请专利范围第1项所述之扬声机构,其中该音箱之体积系小于4立方厘米(c.c.)。 ;14.一种电子装置,包括:一壳体;一控制单元,系设置于该壳体内;以及一扬声机构,包括:一音箱;一扬声元件,系设置于该音箱表面,该控制单元系电性连接至该扬声元件,以控制该扬声元件发出一声音讯号;及一声音补偿元件,系设置于该音箱表面,该声音补偿元件包括:一共振薄膜,系可与该声音讯号共振于一共振频率范围,以补偿该声音讯号于该共振频率范围之声音强度;及一增重元件,系贴附于该共振薄膜之表面,该增重元件之重量系与该共振频率范围相关。 ;15.如申请专利范围第14项所述之电子装置,其中该共振薄膜及该音箱系为一体成型之结构。 ;16.如申请专利范围第14项所述之电子装置,其中该增重元件之重量系为100~300毫克(mg),该共振频率范围系为400赫(Hz)至该扬声元件的第一共振点。 ;17.如申请专利范围第14项所述之电子装置,其中该共振薄膜之材质系与该共振频率范围相关。 ;18.如申请专利范围第14项所述之电子装置,其中该共振薄膜之中央区域具有一第一厚度,该共振薄膜之边缘处具有一第二厚度,该第一厚度大于该二厚度。 ;19.如申请专利范围第14项所述之电子装置,其中该扬声元件及该声音补偿元件系设置于该音箱之同一侧。 ;20.如申请专利范围第14项所述之电子装置,其中该扬声元件及该声音补偿元件系设置于该音箱之相对两侧。 ;21.如申请专利范围第14项所述之电子装置,其中该音箱具有一第一开口及一第二开口,该扬声元件系密封式设置于该第一开口,该声音补偿元件系密封式设置于该第二开口,以使该音箱形成一封闭式空间。 ;22.如申请专利范围第14项所述之电子装置,更包括:一电路板,系设置于该壳体内;其中该音箱具有一第一开口、一第二开口及一第三开口,该扬声元件系密封式设置于该第一开口,该声音补偿元件系密封式设置于该第二开口,该第三开口系密封式耦接于该电路板或该壳体,以使该音箱形成一封闭式空间。 ;23.如申请专利范围第14项所述之电子装置,其中该共振频率范围系为400赫(Hz)至该扬声元件的第一共振点。 ;24.如申请专利范围第14项所述之电子装置,其中该扬声机构更包括:一隔板,系设置于该扬声元件及该声音补偿元件之间,用以使该扬声元件之振动频率及该声音补偿元件之振动频率相位分离。 ;25.如申请专利范围第14项所述之电子装置,其中该扬声机构更包括:一导音管,该导音管与该音箱之开口互相连接,以使该声音讯号在该导音管内反射,并使该扬声元件之振动频率及该声音补偿元件之振动频率相位分离。 ;26.如申请专利范围第14项所述之电子装置,其中该音箱之体积系小于4立方厘米(c.c.)。;第1图绘示一种传统之扬声机构之示意图;第2图绘示依照本发明第一实施例之扬声机构及应用其之电子装置示意图;第3图绘示第2图之扬声机构及应用其之电子装置的分解图;第4图绘示第2图之扬声机构及应用其之电子装置的俯视图;第5图绘示第4图之扬声机构沿截面线5-5’之剖面图;第6图绘示本实施例之扬声机构的量测图;第7图绘示依照本发明第二实施例之扬声机构及应用其之电子装置之示意图;第8图绘示依照本发明第三实施例之扬声机构及应用其之电子装置的示意图;第9图绘示依照本发明第四实施例之扬声机构及应用其之电子装置的示意图;以及第10图绘示依照本发明第五实施例之扬声机构及应用其之电子装置之示意图。
地址 ASUSTEK COMPUTER INC. 台北市北投区立德路150号 TW NO. 150, LI-TE RD., PEITOU, TAIPEI, TAIWAN, R. O. C.<name>国立交通大学 NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY 新竹市大学路1001号