降低光阻释气效应之装置及方法;APPARATUS AND METHOD FOR REDUCING EFFECTS OF PHOTORESIST OUTGASSING

摘要

本发明揭示了降低光阻释气效应之技术。在一特定实施例中，可将该等技术实现为一种用来降低离子植入机中之光阻释气效应之装置。该装置可包含被设置在一终端站与一上游离子束组件之间的一漂流管。该装置亦可包含介于该漂流管与该终端站之间的一第一可变孔。该装置可进一步包含介于该漂流管与该上游离子束组件之间的一第二可变孔。可调整该第一可变孔及该第二可变孔，以便促进差动抽气。

主权项

1.一种用来降低离子植入机中之光阻释气效应之装置，该装置包含：被设置在一终端站与一上游离子束组件之间的一漂流管；介于该漂流管与该终端站之间的一第一可变孔；以及介于该漂流管与该上游离子束组件之间的一第二可变孔；其中可调整该第一可变孔及该第二可变孔，以便促进差动抽气。 ;2.如申请专利范围第1项之装置，其中可根据离子束的至少一尺寸而调整该第一可变孔及该第二可变孔，以便让该离子束的至少一部分通过。 ;3.如申请专利范围第1项之装置，进一步包含：被设置在该漂流管内之一阵列的低温冷却板，该等低温冷却板捕获自该终端站向上游迁移的微粒之至少一部分。 ;4.如申请专利范围第3项之装置，其中：于该等低温冷却板的恢复期间，可完全封闭该第一可变孔，以便将该漂流管与该终端站隔离；以及于该等低温冷却板的恢复期间，可完全封闭该第二可变孔，以便将该漂流管与该上游离子束组件隔离。 ;5.如申请专利范围第1项之装置，进一步包含：被部署在接近该终端站中被释出的微粒集中之一或多个位置之一或多个低温冷却板。 ;6.如申请专利范围第5项之装置，进一步包含：复数个隔板，用以将被释出的微粒导向该等一或多个低温冷却板。 ;7.如申请专利范围第1项之装置，其中该上游离子束组件包含一修正磁铁。 ;8.如申请专利范围第7项之装置，进一步包含：被设置在该修正磁铁的一第一部分与该修正磁铁的一第二部分之间的一中间真空室；以及被耦合到该中间真空室之一或多个抽吸元件，用以提高与该修正磁铁相关联之真空度。 ;9.如申请专利范围第8项之装置，其中该修正磁铁的该第一部分以及该修正磁铁的该第二部分使离子轨迹沿着相同的方向弯曲。 ;10.如申请专利范围第8项之装置，其中该修正磁铁的该第一部分以及该修正磁铁的该第二部分使离子轨迹沿着相反的方向弯曲。 ;11.一种用来降低光阻释气效应之方法，该方法包含下列步骤：将一漂流管定位在一终端站与一上游离子束组件之间；以及调整介于该漂流管与与该终端站之间的一第一可变孔，且调整介于该漂流管与该上游离子束组件之间的一第二可变孔，以便促进差动抽气。 ;12.如申请专利范围第11项之方法，进一步包含下列步骤：根据离子束的至少一尺寸而调整该第一可变孔及该第二可变孔，以便让该离子束的至少一部分通过。 ;13.如申请专利范围第11项之方法，进一步包含下列步骤：在该漂流管内部署一阵列的低温冷却板，用以捕获自该终端站向上游迁移的微粒之至少一部分。 ;14.如申请专利范围第13项之方法，进一步包含下列步骤：于该等低温冷却板的恢复期间，完全封闭该第一可变孔，以便将该漂流管与该终端站隔离；以及于该等低温冷却板的恢复期间，完全封闭该第二可变孔，以便将该漂流管与该上游离子束组件隔离。 ;15.如申请专利范围第11项之方法，进一步包含下列步骤：在接近该终端站中被释出的微粒集中之一或多个位置之处部署一或多个低温冷却板。 ;16.如申请专利范围第15项之方法，进一步包含下列步骤：提供复数个隔板，用以将该等被释出的微粒导向该等一或多个低温冷却板。 ;17.如申请专利范围第11项之方法，其中该上游离子束组件包含一修正磁铁。 ;18.如申请专利范围第17项之方法，进一步包含下列步骤：在该修正磁铁的一第一部分与该修正磁铁的一第二部分之间插入一中间真空室；抽吸该中间真空室，以便提高与该修正磁铁相关联之真空度。 ;19.一种为至少一处理器可读取的储存媒体，用以储存组态被设定成可被至少一处理器读取之电脑指令程式，以便指示该等至少一处理器执行一电脑程序，用以执行申请专利范围第11项所述之方法。 ;20.一种用来降低离子植入机中之光阻释气效应之装置，该装置包含：被设置在一磁铁的一第一部分与该磁铁的一第二部分之间的一中间真空室；以及被耦合到该中间真空室之一或多个抽吸元件，用以提高与该磁铁相关联之真空度。 ;21.如申请专利范围第20项之装置，其中该磁铁的该第一部分以及该磁铁的该第二部分使离子轨迹沿着相同的方向弯曲。 ;22.如申请专利范围第20项之装置，其中该磁铁的该第一部分以及该磁铁的该第二部分使离子轨迹沿着相反的方向弯曲。 ;23.一种用来降低离子植入机中之光阻释气效应之方法，该方法包含下列步骤：提供一磁铁的一第一部分以及该磁铁的一第二部分；将一中间真空室定位在该第一部分与该第二部分之间；以及抽吸该中间真空室，以便提高与该磁铁相关联之真空度。;为了有助于对所揭示之本发明的更完整之了解，请参照各附图，而在该等附图中，系以相同的代号表示类似的元件。不应将这些图式诠释为对所揭示之本发明的限制，这些图式之用意只是作为举例。;第1图示出一现有的离子植入机。;第2图示出用来降低光阻释气效应之一现有方法。;第3图示出根据所揭示之本发明的一实施例而减少被释出的微粒之一例示差动抽气方法。;第4图示出根据所揭示之本发明的一实施例而利用被策略性放置的低温抽吸元件以减少被释出的微粒之一例示方法。;第5图示出根据所揭示之本发明的一实施例的一中间真空室之一实施例。;第6图示出根据所揭示之本发明的一实施例的一中间真空室之另一实施例。