发明名称 包含电源供应的半导体积体电路、包含半导体积体电路的半导体系统以及形成半导体积体电路的方法;SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING A POWER SUPPLY, SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
摘要 本发明实施例提供一种包括电源供应的半导体积体电路、包括半导体积体电路的半导体系统以及形成半导体积体电路的方法。半导体积体电路包括半导体基底、绝缘层、第一导电层、第二导电层与电源产生层,其中多个电路与多个电源垫镶嵌在半导体基底上;绝缘层是叠在半导体基底上;第一导电层是藉由第一通孔连接至第一电源垫并且是叠在绝缘层上;第二导电层是藉由第二通孔连接至第二电源垫、叠在绝缘层上并且与第一导电层分离;以及电源产生层是叠在第一导电层与第二导电层上,并且用以产生电压。
申请公布号 TWI328279 申请公布日期 2010.08.01
申请号 TW095120919 申请日期 2006.06.13
申请人 三星电子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 南韩 发明人 金圭现;金昌炫
分类号 主分类号
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种半导体积体电路,其包括:半导体基底;多个电路与多个电源垫,其镶嵌在所述半导体基底上;绝缘层,其叠在所述半导体基底上;及电压供应器,其叠在所述绝缘层上,且透过通孔以提供电压至所述多个电源垫之至少一个,所述电压供应器包括:第一导电层,其是藉由第一通孔而连接至第一电源垫并且是叠在所述绝缘层上;第二导电层,其是藉由第二通孔连接至第二电源垫、是叠在所述绝缘层上并且是与所述第一导电层分离;以及电源供应器,其是叠在所述第一导电层与所述第二导电层上,并且用以提供电源至所述多个电源垫的至少其中之一中。 ;2.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路,其中所述第一导电层与所述第一通孔形成第一积体布线结构,并且所述第二导电层与所述第二通孔形成第二积体布线结构。 ;3.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路,其中所述电源供应器是能产生电压的材料。 ;4.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路,其中所述第一电源垫是电源供应垫,并且所述第二电源垫接地。 ;5.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路,其中所述电源供应器是电池。 ;6.如申请专利范围第5项所述之半导体积体电路,其中所述电池是太阳能电池。 ;7.一种半导体积体电路,其包括:半导体基底;多个电路与多个电源垫,其是镶嵌在所述半导体基底上;绝缘层,其是叠在所述半导体基底上;及电压供应器,其叠在所述绝缘层上,用以储存来自电荷产生器所生之电荷,且透过通孔以提供电压至所述多个电源垫之至少一个,所述电压供应器包括:第一导电层,其是藉由第一通孔而连接至第一电源垫并且是叠在所述绝缘层上;第二导电层,其是藉由第二通孔而连接至第二电源垫、是叠在所述绝缘层上并且是与所述第一导电层分离;第二绝缘层,其是叠在所述第一导电层与所述第二导电层上;以及第三导电层,其是藉由第三通孔而连接至第一导电层并且是叠在所述第二绝缘层上。 ;8.如申请专利范围第7项所述之半导体积体电路,其中所述第一导电层与所述第一通孔形成第一积体布线结构,所述第二导电层与所述第二通孔形成第二积体布线结构,并且所述第三导电层与所述第三通孔形成第三积体布线结构。 ;9.如申请专利范围第7项所述之半导体积体电路,其中所述第一导电层、所述第二导电层、所述第三导电层与所述第二绝缘层会形成电容器。 ;10.如申请专利范围第7项所述之半导体积体电路,其中所述第一电源垫是电源供应垫,并且所述第二电源垫接地。 ;11.如申请专利范围第7项所述之半导体积体电路,其中所述电容器储存着从外部提供的电荷,并且提供电压至所述多个电源垫的至少其中之一。 ;12.一种半导体系统,其包括:如专利范围第1项所述的多个半导体积体电路,其中所述半导体积体电路的每一个包括电压供应器,其中所述电压供应器会透过通孔以提供适当电压至对应的电源垫。 ;13.如申请专利范围第12项所述之半导体系统,其中所述电压供应器是电池与能产生电压的材料的至少其中之一。 ;14.如申请专利范围第13项所述之半导体系统,其中所述电压供应器是电容器与奈米碳管的至少其中之一,其可储存从外部提供的电荷并且透过通孔提供适当电压至对应的电源垫。 ;15.如申请专利范围第14项所述之半导体系统,更包括:电荷产生器,其用以提供电荷至所述电压供应器。 ;16.一种半导体系统,其包括:多个半导体积体电路,所述多个半导体积体电路之每一个包括:至少一个半导体基底;多个电路与多个电源垫,其是排列在每个所述至少一个半导体基底上;绝缘层,其是排列在所述至少一个半导体基底以及所述多个电路与所述多个电源垫上;及电压供应器,其叠在所述绝缘层上,且透过通孔以提供电压至所述多个电源垫之至少一个,所述电压供应器包括:至少一个导电层,其是排列在所述绝缘层上;以及电源供应器,其是排列在所述至少一个导电层上并且用以提供电源至所述多个电源垫的至少其中之一中。 ;17.如申请专利范围第16项所述之半导体系统,其中所述电源供应器是电池。 ;18.如申请专利范围第17项所述之半导体系统,其中所述电池是太阳能电池。 ;19.如申请专利范围第16项所述之半导体系统,其中所述电源供应器是电容器。 ;20.如申请专利范围第19项所述之半导体系统,其中所述电容器包括排列在所述绝缘层上的所述至少一个导电层以作为下电极、排列在所述下电极上的介电层以及排列在所述介电层上的上电极。 ;21.如申请专利范围第19项所述之半导体系统,其中所述电容器是用以储存从外部源所供应的电荷并且放出所储存的电荷至所述多个电源垫的至少其中之一中。;图1是绘示传统半导体系统的示意图。;图2是绘示传统半导体系统的示意图。;图3是根据本发明实施例绘示半导体系统的示意图。;图4A至4C是根据本发明实施例所绘示的形成半导体积体电路的方法。;图5是根据本发明实施例所绘示的半导体系统的示意图。;图6A至6C是根据本发明实施例所绘示的形成半导体积体电路的方法。;图7是根据本发明实施例所绘示的半导体积体电路的示意图。
地址 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 南韩