垂直极化与水平极化脊状波导管阵列天线

摘要

本创作系提供一种垂直极化与水平极化脊状波导管阵列天线，其包含有波导管本体，该波导管本体至少于一边上定义有纵轴，且该波导管本体之至少于一边上系设有复数第一及第二槽孔，并于该波导管本体之至少于一边上设有脊状波导管，该脊状波导管包含相对且有间隔开之两个脊状部，且脊状部系向波导管本体之纵轴延伸。藉此，可应用于典型高功率上，而利用脊状波导管、第一及第二槽孔之配合，而可获得较一致的辐射场型，且可同时具有缩小天线体积之功效。

主权项

1.一种垂直极化与水平极化脊状波导管阵列天线，其包含有波导管本体，该波导管本体至少于一边上定义有纵轴，且该波导管本体之至少于一边上系设有复数第一及第二槽孔，并于该波导管本体之至少于一边上设有脊状波导管，该脊状波导管包含相对且有间隔开之两个脊状部，且脊状部系向波导管本体之纵轴延伸。 ;2.如申请专利范围第1项所述之垂直极化与水平极化脊状波导管阵列天线，其中，该波导管本体系由预定之宽度尺寸和高度尺寸定义有波导管开口，而该波导管开口之宽度尺寸通常小于二分之一波长，另该脊状波导管之两个脊状部，更进一步相对波导管开口之高度尺寸轴向延伸。 ;3.如申请专利范围第1项所述之垂直极化与水平极化脊状波导管阵列天线，其中，该脊状波导管系沿波导管本体之中心线延伸。 ;4.如申请专利范围第1项所述之垂直极化与水平极化脊状波导管阵列天线，其中，各第一个边缘槽孔系以(β)正角度之倾斜角度设于波导管本体上，而各第二个边缘槽孔与第一槽孔相邻且以(β)负角度之斜角度设于波导管本体上。 ;5.如申请专利范围第1项所述之垂直极化与水平极化脊状波导管阵列天线，其中，各第一及第二槽孔系延伸至波导管本体之两对应侧边表面以及另两邻边之表面。 ;6.如申请专利范围第1项所述之垂直极化与水平极化脊状波导管阵列天线，其中，该脊状波导管之两脊状部系相对应设于波导管本体侧边且顺着纵轴延伸。 ;7.如申请专利范围第1项所述之垂直极化与水平极化脊状波导管阵列天线，其中，该波导管本体至少包含有两个渐进式之波导管，且介于两个渐进式波导管之间具有较小之另一波导管，且第一及第二系可设于较小之另一波导管之两边上。 ;8.如申请专利范围第1项所述之垂直极化与水平极化脊状波导管阵列天线，其中，各第一及第二槽孔系设于波导管本体之中心线上。;第1A图，为习用垂直极化的波导管阵列天线图。;第1B图，为第1A图之方位辐射场型图。;第2A图，为习用水平极化的波导管阵列天线图。;第2B图，为第2A图之方位辐射场型图。;第3A图，为本创作垂直极化脊状波导管阵列天线之示意图。;第3B图，为本创作垂直极化脊状波导管阵列天线之俯视图。;第3C图，为本创作垂直极化脊状波导管阵列天线之侧视及俯视图。;第3D图，为本创作垂直极化脊状波导管阵列天线之方位辐射场型和仰角场形图。;第4A图，为本创作水平极化脊状波导管阵列天线之示意图。;第4B图，为本创作水平极化脊状波导管阵列天线之俯视图。;第4C图，为本创作水平极化脊状波导管阵列天线之方位辐射场型和仰角场形图。;第4D图，为本创作水平极化脊状波导管阵列天线显示条件θ=90 o 、φ=90 o 之示意图。;第4E图，为本创作水平极化脊状波导管阵列天线显示条件θ=90 o 、φ=0 o ~180 o 之示意图。