铜合金溅镀靶

摘要

一种含有Al 0.5~4.0wt%、且Si为0.5wtppm以下之铜合金溅镀靶，以及一种含有Sn 0.5~4.0wt%、且Mn为0.5wtppm以下之铜合金溅镀靶，以及前述溅镀靶中含有择自Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In以及As中1种或至少2种以总量计1.0wtppm以下之铜合金溅镀靶。;本发明之课题为：提供一种可形成半导体元件配线材，特别是在铜电镀之际不会发生凝集而可安定地形成均一之种晶层、且溅镀成膜特性优异之铜合金溅镀靶以及使用该溅镀靶所形成之半导体元件配线。

主权项

1.一种铜合金溅镀靶，其特征在于：含有Al 0.5~4.0wt%、且Si为0.5wtppm以下、氧含量为5wtppm以下、再结晶温度为365℃以下、平均结晶粒径为0.1~60μm、且平均粒径之变动在±20%以内。 ;2.如申请专利范围第1项之铜合金溅镀靶，其中，含有择自Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In以及As中1种或至少2种以总量计1.0wtppm以下。 ;3.如申请专利范围第1项之铜合金溅镀靶，其中，含有择自Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In以及As中1种或至少2种以总量计0.5wtppm以下。 ;4.一种铜合金溅镀靶，其特征在于：含有Sn 0.5~4.0wt%、且Mn为0.5wtppm以下、平均结晶粒径为0.1~60μm、且平均粒径之变动在±20%以内。。 ;5.如申请专利范围第4项之铜合金溅镀靶，其中，含有择自Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In以及As中1种或至少2种以总量计1.0wtppm以下。 ;6.如申请专利范围第4项之铜合金溅镀靶，其中，含有择自Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In以及As中1种或至少2种以总量计0.5wtppm以下。 ;7.如申请专利范围第4~6项中任一项之铜合金溅镀靶，其再结晶温度为365℃以下。 ;8.如申请专利范围第4~6项中任一项之铜合金溅镀靶，其氧含量为5wtppm以下。 ;9.如申请专利范围第1~6项中任一项之铜合金溅镀靶，其氧含量为1wtppm以下。 ;10.如申请专利范围第1~6项中任一项之铜合金溅镀靶，其含有Al与Sn以总量计0.5~4.0wt%。