半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

本发明揭示一种半导体装置，其包括：一基板，其在一顶部表面上具有一中空的中空区段；一半导体晶片，其系安装于该基板之中空区段中；以及一盖，其具有与该基板相对并覆盖该中空区段之一实质上为板形的顶部板区段，并具有从该顶部板之一周边朝该基板突出且与该基板之一侧表面接合之至少一对侧壁区段。可精确定位该基板及该盖。

主权项

1.一种半导体装置，其包含：一基板，其具有在一顶部表面上之一中空的中空区段；一半导体晶片，其系安装于该基板之该中空区段中；以及一盖，其具有与该基板相对并覆盖该中空区段之一实质上板形状的顶部板区段，并具有从该顶部板区段之一周边朝该基板突出且与该基板之一侧表面接合之至少一对侧壁区段。 ;2.如请求项1之半导体装置，其中用于将该中空区段与该外部连通之一孔径区段系在该顶部板区段中形成为在该基板之该厚度方向上穿过。 ;3.如请求项1之半导体装置，其中在该基板之该厚度方向上延伸之至少一对切口系形成于该基板之该侧表面中，而该对侧壁区段与该等切口接合。 ;4.如请求项1之半导体装置，其中该至少一对侧壁区段具有与该基板闭锁之一闭锁区段。 ;5.如请求项4之半导体装置，其中该闭锁区段系与该基板之一侧表面弹性接触，且系藉由一摩擦力而与该侧表面闭锁。 ;6.如请求项4之半导体装置，其中一层级区段系形成为该基板之该侧表面中之一凹陷，而该闭锁区段在该层级区段中闭锁。 ;7.如请求项4之半导体装置，其中该盖具有导电性，以及一导电遮蔽部件系形成于该基板上，其围绕该盖及该中空区段，以及提供一端子区段，其中该遮蔽部件之至少一部分系从该基板之该侧表面侧曝露于该外部；而该闭锁区段系连接至该端子区段。 ;8.如请求项1之半导体装置，其中该半导体晶片系一声压感测器。 ;9.如请求项1之半导体装置，其中一切面系沿该基板之该厚度方向形成于该基板之该侧表面之至少一部分中，且系从该侧表面侧曝露于该外部。 ;10.一种盖，其用在一半导体装置上，该半导体装置配置有一安装于一基板在该厚度方向上之一顶部表面上的半导体晶片，该半导体晶片系经由一中空的中空区段而受覆盖，该盖包含与该中空区段相对而配置之一实质上板形的顶部板区段以及从该顶部板区段之一周边朝该基板突出而且与该基板之一侧表面接合之至少一对侧壁区段。 ;11.如请求项10之盖，其中用于将该中空区段与该外部连通之一孔径区段系在该顶部板区段中形成以便在该厚度方向中穿过。 ;12.如请求项10之盖，其中该顶部板区段及该等壁区段具有导电性，以及复数个该等壁区段系形成于至少围绕该半导体晶片的该外部之位置。 ;13.如请求项10之盖，其中该顶部板区段及该等壁区段具有导电性，以及该等侧壁区段系围绕该顶部板区段之该整个周边而形成。 ;14.一种用以制造半导体装置的半导体装置之制造方法，其中藉由一导电盖而经由一中空的中空区段来覆盖一安装于一基板在该厚度方向上之一面上的半导体晶片，其包含：一基板板部件制备步骤，其系用以形成一用以将一基板板分成个别基板之分割基线，复数该等半导体晶片在该基板板上系成直线配置于在该厚度方向上之该一面上；一盖制备步骤，其系用以形成复数盖，该等盖个别地覆盖定位于该基板板之一面上的该等复数半导体晶片；一对齐步骤，其系用以将该等复数盖重叠并固定于该等基板板之每一板之该一面侧上，以使得该等复数盖覆盖该等复数半导体晶片之每一晶片；以及一分割步骤，其系用以从该分割基线断开该等基板板，并分成个别的该等半导体装置。 ;15.如请求项14之半导体装置之制造方法，其中该盖制备步骤包含一用以在该盖中形成一用以将该中空区段与该外部连通的孔径区段之步骤。 ;16.如请求项14之半导体装置之制造方法，其中该盖制备步骤包含一用于以下操作之步骤：形成一盖板部件，该盖板部件具有在与配置于该基板板部件之该一面上的该等复数半导体晶片相同的该位置连接之该等复数盖；以及形成一断裂区段，其可以在与该盖板部件相邻的该盖之一连接区段断开；该重叠步骤，其包含一用以将该盖板部件重叠并固定于该基板板部件之一端面侧上以使得该等复数盖个别地覆盖该等复数半导体晶片之步骤；以及该分割步骤，其包含一用于在断开该基板板部件时从该断裂区段断开该盖板部件之步骤。 ;17.如请求项16之半导体装置之制造方法，其中：该基板板部件制备步骤包含一用以在该分割基线之部分中介于该等相邻基板之间的一位置形成一插入孔之步骤；该盖制备步骤，其包含一用于以下操作之步骤：将与该等盖相邻用以插入该插入孔的该盖板部件之一连接区段弯曲成一大致的U形以形成一弯曲区段，该弯曲区段在该盖之该厚度方向上突出；以及在该弯曲区段之一尖端部分中形成该断裂区段；以及该重叠步骤包含一用以将该弯曲区段插入该插入孔之步骤。 ;18.如请求项14之半导体装置之制造方法，其中：该基板板部件制备步骤包含一用以在该分割基线之部分中介于相邻该等基板之间的一位置形成一插入孔之步骤；该盖制备步骤包含一用以在该盖上形成一在该厚度方向上突出的侧壁区段之步骤；以及该重叠步骤包含一用以将该侧壁区段插入该插入孔之步骤。 ;19.如请求项14之半导体装置之制造方法，其中该分割步骤包含一用以对着一形成为一实质上柱形的滚筒之一周边表面来按压该基板板部件之一侧表面之步骤。 ;20.如请求项14之半导体装置之制造方法，其中：该基板板部件制备步骤包含一用以在该基板板部件的该基板之一组成部分上形成一导电遮蔽部件之步骤，该导电遮蔽部件围绕该盖及其中个别配置该复数个半导体晶片之该中空部分；以及该重叠步骤包含一用以电性连接该盖与该遮蔽部件之步骤。 ;21.如请求项14之半导体装置之制造方法，其中：该半导体板部件制备步骤包含：一用以在复数个层中形成一绿色薄片之步骤，该绿色薄片系藉由以薄片形式形成一包含陶瓷粉末的糊膏并在一表面上形成一印刷电路板而形成；一用以在该绿色薄片层压体中形成该切口之步骤；以及一用以藉由烘烤该绿色薄片层压体来形成该基板板部件之步骤。 ;22.如请求项14之用于半导体装置之制造方法，其中：该半导体板部件制备步骤包含：一用以在每一基板之一边缘上的该分割基线之一分割位置形成一插入孔之步骤；该盖制备步骤包含一用以在该等盖上形成在该厚度方向上突出并彼此面对的一对侧壁区段之步骤；以及该重叠步骤包含一用以将该等侧壁区段插入该插入孔并将该对侧壁区段之部分与该等基板闭锁之步骤。 ;23.如请求项14之半导体装置之制造方法，其中：该半导体基板板部件制备步骤包含：一用以在该分割基线中形成一切口之步骤，以及该分割步骤包含一用以从该切口断开该基板板部件之步骤。 ;24.如请求项14之用于半导体装置之制造方法，其中该半导体晶片系一声压感测器。 ;25.一种用于制造半导体装置之半导体单元，其中藉由一导电盖而经由一中空的中空区段覆盖一安装于一基板在该厚度方向上之一面上的半导体晶片，其包含：一基板板部件，在其上面将复数该等半导体晶片成直线配置于在该厚度方向上的该一面上；复数个盖，其个别覆盖该等复数半导体晶片，其系重叠并固定于该基板板部件之一面侧上；以及切口，其系形成于该基板板部件中用于将该基板板部件分成个别基板。;图1系显示从一盖侧来看依据本发明之一第一具体实施例之一半导体装置之一透视图。;图2显示从一陶瓷基板侧来看图1中的半导体装置之一透视图。;图3系显示图1中的半导体装置之一断面图。;图4系显示依据本发明之第一具体实施例在该半导体装置之一制造方法中使用之一基板板部件之一透视图。;图5系显示图4中的基板板部件之一部分放大之一透视图。;图6系显示依据本发明之第一具体实施例在该半导体装置之一第一制造方法中使用之一盖之一透视图。;图7系显示依据本发明之第一具体实施例该半导体装置之第一制造方法之一断面侧视图。;图8系显示依据本发明之第一具体实施例该半导体装置之第一制造方法之一断面侧视图。;图9系显示依据本发明该半导体装置之制造方法之一断面侧视图。;图10系显示依据本发明该半导体装置之制造方法中之一分割步骤之一断面侧视图。;图11系显示依据本发明该半导体装置之制造方法中的分割步骤之另一范例之一断面图。;图12系显示从一盖侧来看依据本发明之一第二具体实施例之一半导体装置之一透视图。;图13系显示从一陶瓷基板侧来看图12中的半导体装置之一透视图。;图14系显示用于制造图12中的半导体装置之一基板板部件之一放大透视图。;图15系显示用于制造图12中的半导体装置之一盖之一透视图。;图16系显示用于制造图12中的半导体装置之盖之另一范例之一透视图。;图17系显示依据本发明之第一具体实施例在该半导体装置之一第二制造方法中使用之一盖板部件之一示意性透视图。;图18系显示依据本发明之第一具体实施例该半导体装置之第二制造方法之一断面侧视图。;图19A及19B系显示图17所示盖板部件之一放大透视图及一放大断面侧视图。;图20系显示依据本发明之第一具体实施例该半导体装置之第二制造方法之一断面图。;图21A、21B及21C系显示图17所示盖板部件之一区曲区段之一经修改范例之一放大透视图。;图22系显示依据本发明之第二具体实施例在该半导体装置之第二制造方法中使用之一盖板部件之一放大透视图。;图23系显示依据本发明该半导体装置之制造方法中之一盖制备步骤之一范例之一断面侧视图。;图24A及图24B系显示依据本发明该半导体装置之制造方法中之盖制备步骤之其他范例之一断面侧视图。;图25系依据本发明之一第三具体实施例之一半导体装置之一断面侧视图。;图26系显示用于制造图25中的半导体装置之一盖之一透视图。;图27系依据本发明之一第三具体实施例该半导体装置之一制造方法之一断面侧视图。;图28系依据本发明之一第三具体实施例该半导体装置之一制造方法之一断面侧视图。;图29系依据本发明之第三具体实施例该半导体装置之一经修改范例之一断面侧视图。;图30系显示依据本发明之一第四具体实施例之一半导体装置之一断面侧视图。