| 主权项 |
1.一种抗反射硬罩幕组合物，包括：a)聚合物成分，包括一或多种通式I、II与III之单体单元：其中R1与R2可分别选自由氢、羟基、烷基、芳香基、烯丙基、卤素组成群组以及上述任一组合；及R3与R4可分别选自由氢、交联官能基、发色基团的群组以及上述任一组合；R5为选自由苯基亚烷基、苯基二亚烷基与联苯基二亚烷基组成的群组，且m为正整数；其中R6选自由氢、烷基、芳香基、烯丙基组成的群组以及上述任一组合，且n为正整数；及其中R7为选自由氢、烷基、芳香基、烯丙基的群组以及上述任一组合，且p为正整数；及b)交联成份；以及c)酸催化剂；其中酸催化剂可为单水合对甲基苯磺酸、吡啶对甲基苯磺酸酯、2,4,4,6-四溴环己二烯醇酮、有机磺酸烷基酯以及上述任一组合。 ;2.如申请专利范围第1项所述之抗反射硬罩幕组合物，其中聚合物成分包括通式I之单体单元。 ;3.如申请专利范围第1项所述之抗反射硬罩幕组合物，其中R1与R2可分别为氢、羟基、C1-10之烷基、C6-10之芳香基、烯丙基以及卤素；及R3与R4可分别为氢、交联官能基以及发色基团；R5可为羟苯基亚甲基、苯基二亚甲基以及联苯基二亚甲基；及R6与R7可分别为氢、C1-10之烷基、C6-10之芳香基以及烯丙基。 ;4.如申请专利范围第1项所述之抗反射硬罩幕组合物，其中m、n与p分别介于约1至约190之间。 ;5.如申请专利范围第1项所述之抗反射硬罩幕组合物，其中该组合物含有：约1至约20重量百分比之聚合物成分；约0.1至约5重量百分比之交联成分；以及约0.001至约0.05重量百分比之酸催化剂。 ;6.如申请专利范围第1项所述之抗反射硬罩幕组合物，其中聚合物成分包括含有通式I之单体单元的聚合物，其中聚合物之平均分子重量为介于约1,000至约30,000之间。 ;7.如申请专利范围第1项所述之抗反射硬罩幕组合物，其中聚合物成分包括含有通式II之单体单元的聚合物，其中聚合物之平均分子重量为介于约1,000至约30,000之间。 ;8.如申请专利范围第1项所述之抗反射硬罩幕组合物，其中聚合物成分包括含有通式III之单体单元的聚合物，其中聚合物之平均分子重量为介于约1,000至约30,000之间。 ;9.如申请专利范围第1项所述之抗反射硬罩幕组合物，其中该组合物另外含有有机溶剂。 ;10.如申请专利范围第1项所述之抗反射硬罩幕组合物，其中该组合物另外含有界面活性剂。 ;11.如申请专利范围第1项所述之抗反射硬罩幕组合物，其中发色基团可为苯基、屈基、芘基、氟蒽基、蒽酮基、苯酮基、噻吨酮基、蒽基、蒽基衍生物以及上述任一组合之官能基。 ;12.如申请专利范围第1项所述之抗反射硬罩幕组合物，其中交联成分可为三聚氰胺树脂、胺树脂、甘脲化合物、双环氧基化合物以及上述任一组合。 ;13.如申请专利范围第1项所述之抗反射硬罩幕组合物，其中有机磺酸烷基酯可为安息香甲苯磺酸酯、2-硝苄基甲苯磺酸酯以及上述任一组合。 ;14.一种于基板上形成图案材料层之方法，包括：(a)于材料层上形成抗反射硬罩幕层，其中该硬罩幕层包含如申请专利范围第1项所述之抗反射硬罩幕组合物；(b)于抗反射层上形成感光图像层；(c)照射图像层；(d)显影图像层与抗反射层而暴露部分材料层；以及(e)蚀刻材料层之暴露部分。 ;15.一种如申请专利范围第1项所述之抗反射硬罩幕组合物之用途，其系用于制造半导体积体电路。;第1图系为范例2中所制备之聚合物的1H－核磁共振(1H－NMR)光谱。;第2图系为范例2中所制备之聚合物的傅氏转换红外线(FT－IR)光谱。 |
