可与反应入射雷射光时可转移之有机层涂布的高吸收性施体基质;A HIGH ABSORPTION DONOR SUBSTRATE COATABLE WITH ORGANIC LAYER(S) TRANSFERRABLE IN RESPONSE TO INCIDENT LASER LIGHT

摘要

本发明揭示一种高吸收性施体基质，藉由下列步骤而提供至少一OLED材料至OLED装置：在一透明支撑元件上提供一吸收器抗反射层，该抗反射层具有之折射率的实数部分大于3.0，并在重要波长上具有接近第一反射率极小值之厚度；于抗反射层上提供一金属吸热层，用以吸收穿透该透明支撑元件及该抗反射层之雷射光；选取该透明支撑元件、该抗反射层及该金属吸热层，以具备少于10%之平均反射率，以及由于透明支撑元件在该重要波长上少于10%之厚度变化而有的微反射率变化；及缺少黏结材料时，在该金属吸热层上提供至少一有机材料层。

主权项

1.一种制造高吸收性施体基质之方法，该施体基质可涂布至少一有机材料层，并用以提供至少一OLED材料至一OLED装置，以回应大体上在一预设波长范围内之雷射光，该方法包括：(a)提供一透明支撑元件；(b)在该透明支撑元件提供一吸收器抗反射层，选取之抗反射层具有其大于3.0折射率之实数部分，及选取之厚度系接近在重要波长之第一反射率极小值；(c)在该抗反射层上提供一金属吸热层，用以吸收穿透该透明支撑元件及该抗反射层之雷射光；(d)选取该透明支撑元件、该抗反射层及该金属吸热层，以具备少于10%之平均反射率，及由于该透明支撑元件之厚度变化在该重要波长少于10%而导致之微反射率变化；及(e)缺少黏结材料时，在该金属吸热层上提供至少一有机材料层，该金属吸热层包括可转移至一OLED装置之有机材料。 ;2.如申请专利范围第1项之方法，其中该金属吸热层之折射率之实数部分大于3.0。 ;3.如申请专利范围第1项之方法，其中该重要波长小于1100 nm并大于550 nm。 ;4.如申请专利范围第1项之方法，其中该金属吸热层包括铬(Cr)。 ;5.如申请专利范围第1项之方法，其中有一有机材料包含两相异有机材料。 ;6.如申请专利范围第1项之方法，其中该吸收器抗反射层包括矽，而该金属吸热层包括铬。 ;7.如申请专利范围第1项之方法，其中该抗反射层包括Si及Ge之混合物。 ;8.如申请专利范围第1项之方法，其中该金属吸热层包括Ag、Al、Au、Be、Co、Cr、Cu、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Pt、Rh、Ta、Pd、V或W，或其混合物。 ;9.如申请专利范围第2项之方法，其中该金属吸热层包括Be、Cr、V、Mo、Pt或W，或其混合物。 ;10.如申请专利范围第1项之方法，其中该金属吸热层包括Ni，而该抗反射层包括Ge。;图1以剖面图示范说明具金属吸热层的先前技艺施体元件，其示出入射光的反射；图2以图表说明该金属吸热层不同程度的光吸收作为该先前技艺的透明塑胶支撑元件厚度的函数；图3系一先前技艺施体基质的基质侧示范照片，该施体基质由单色调光照明的Kapton上的铬(Cr)所组成；图4A及4B以剖面图示范说明一施体基质元件的数部分，显示a)施体背部表面反射率及b)施体吸收器反射率；图5根据本发明，以剖面图示范说明具有一额外抗反射层的施体元件；图6以图表说明聚碳酸酯上Si-Cr的实验性反射率资料作为Si厚度的函数；图7以图表说明所算出的MAV作为施体吸收器反射率的函数，用于该施体背部表面反射率的某些典型值；图8以图表说明聚碳酸酯上Ge-Ni的实验性反射率资料作为Ge厚度的函数；图9以图表说明所算出的值用于Si-Cr高吸收性施体基质的最低可达成施体吸收器反射率，以作为波长的函数；图10以图表说明所算出的值用于Si-Cr高吸收性施体基质的最低可达成MAV，以作为波长的函数；图11以图表说明所算出的值用于聚碳酸酯上Si-Ni及Si-Cr的理想涂布在800 nm的总反射率，以作为波长的函数；图12以图表说明该实验值在一缓慢Si沈积中，在聚碳酸酯上Si-Ni及Si-Cr的实际涂布在800 nm的总反射率；及图13以图表说明该实验值在一快速Si沈积中，在聚碳酸酯上Si-Ni及Si-Cr的实际涂布在800 nm的总反射率。