画素结构及其制作方法;PIXEL STRUCTURE AND METHOD OF MAKING THE SAME

摘要

本发明提出一种画素结构，其画素结构包括：一基板、一浮置之遮光图案设于基板上、一绝缘层设于该基板与该遮光图案上、一资料线设于遮光图案之上方并对应遮光图案、一介电层设于资料线与绝缘层上，以及一第三层导电图案设置于介电层上。第三层导电图案包含一共通线及一共通图案，其通图案具有两支线，两支线之间具有一间隙，且此间隙系位于资料线上方。

主权项

1.一种画素结构，包括：一基板；一第一层导电图案，设置于该基板上，该第一层导电图案包括一闸极、一扫描线与一遮光图案，其中该闸极电性连接至该扫描线；一绝缘层，设置于该第一层导电图案与该基板上；一第二层导电图案，设置于该绝缘层上，该第二层导电图案包括一资料线、一源极与一汲极，其中该资料线系设置于该遮光图案之上方且该资料线电性连接至该源极；一介电层，设置于该第二层导电图案与该绝缘层上；以及一第三层导电图案，设置于该介电层上，该第三层导电图案包含一共通线及一共通图案，该共通图案具有两支线，该两支线之间具有一间隙，且该间隙系位于该资料线上方。 ;2.如请求项1所述之画素结构，其中该遮光图案系为一浮置金属。 ;3.如请求项1所述之画素结构，其中该遮光图案之宽度大于该资料线之宽度。 ;4.如请求项1所述之画素结构，其中该共通图案之该两支线系为两平行之直条。 ;5.如请求项1所述之画素结构，其中该两支线之该间隙宽度至少大于或等于资料线之宽度。 ;6.如请求项1所述之画素结构，其中该第一层导电图案、该第二层导电图案、第三层导电图案系为金属层所构成。 ;7.如请求项1所述之画素结构，另包含有至少一保护层设置于该第三层导电图案与该介电层上，以及一画素电极设置于该保护层上，其中该画素电极电性连接至该汲极。 ;8.如请求项7所述之画素结构，其中该画素电极系大体上与该共通图案之该两支线切齐。 ;9.一种制作画素结构之方法，包括：提供一基板；于该基板上形成一第一层导电图案，该第一层导电图案包括一闸极、一扫描线与一遮光图案，其中该闸极电性连接至该扫描线；于该第一层导电图案与该基板上形成一绝缘层；于该绝缘层上形成一第二层导电图案，该第二层导电图案包括一资料线、一源极与一汲极，其中该资料线系设置于该遮光图案之上方且该资料线电性连接至该源极；于该第二层导电图案与该绝缘层上形成一介电层；以及于该介电层上形成一第三层导电图案，其中该第三层导电图案包含一共通线及一共通图案，该共通图案具有两支线，该两支线之间具有一间隙，且该间隙系位于该资料线上方。 ;10.如请求项9述之方法，其中该遮光图案之宽度大于该资料线之宽度。 ;11.如请求项9所述之方法，其中该遮光图案系为一浮置金属。 ;12.如请求项9所述之方法，另包括于形成该第三层导电图案之后，于该第三层导电图案与该介电层上形成至少一保护层，以及于该保护层上形成一画素电极，其中该画素电极电性连接至该汲极。 ;13.一种画素结构，系配置于一基板上，该画素结构包含有一主动元件区与一周边区，包括：一第一层导电图案，设置于该基板上，该第一层导电图案包括一闸极与一遮光图案，其中该闸极系位于该主动元件区与该遮光图案系位于该周边区；一绝缘层，设置于该第一层导电图案与该基板上；一第二层导电图案，设置于该绝缘层上，该第二层导电图案包括一资料线、一源极与一汲极，其中该资料线系设置于该周边区之该遮光图案的上方以及该源极与该汲极设置于该主动元件区并且分置于该闸极两侧之上方与该闸极部份重叠；一介电层，设置于该第二层导电图案与该绝缘层上并暴露出该主动元件区之该汲极；以及一第三层导电图案，设置于该周边区之该介电层上，并分置于该资料线两侧之上方并与该遮光图案重叠。 ;14.如请求项13所述之画素结构，其中该遮光图案系为一浮置金属。 ;15.如请求项13所述之画素结构，其中该遮光图案之宽度大于该资料线之宽度。 ;16.如请求项13所述之画素结构，其中该第三层导电图案与该资料线两侧部份重叠。;第1图为本发明较佳实施例之画素结构之示意图。;第2图至第7图为本发明较佳实施例之制作画素结构之方法示意图。;第8图为本发明另一较佳实施例之画素结构之剖面示意图。;第9图为本发明又一较佳实施例之画素结构之剖面示意图。;第10图为本发明又一较佳实施例之画素结构之剖面示意图。