光电装置及其制造方法，以及电子机器;ELECTRO-OPTICAL DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

摘要

对于液晶装置等之光电装置，极有效果防止在画像讯号线或对向电极电位线残留电荷。;其解决手段为光电装置是在基板上具备有多数画素部，被配列在画素区域；周边电路，被配置在位于画素区域之周边的周边区域，用以控制多数画素部；画像信号线，用以对周边电路供给画像信号；及接地电位线，用以供给接地电位。画像信号线是经由较构成画像信号线及接地电位线之导电膜高电阻之膜所构成之放电电阻，而电性连接于接地电位线。

主权项

1.一种光电装置，其特征为：在基板上具备有多数画素部，被配列在画素区域；周边电路，被配置在位于上述画素区域之周边的周边区域，用以控制上述多数画素部；画像信号线，用以对上述周边电路供给画像信号；及接地电位线，用以供给接地电位，上述画像信号线是经由比起构成上述画像信号线及上述接地电位线之导电膜为高电阻之膜所构成之放电电阻，而电性连接于上述接地电位线，上述放电电阻具有在上述基板上俯视观看时与上述接地电位线重叠，并且沿着上述接地电位线而延伸的第1部分，和在上述基板上俯视观看时与上述画像信号线重叠，并且沿着上述画像信号线而延伸的第2部分。 ;2.如申请专利范围第1项所记载之光电装置，其中上述画素部具有画素电极，并具备有与上述画素电极相向之对向电极，和供给对向电极电位置上述对向电极之对向电极电位线。 ;3.如申请专利范围第2项所记载之光电装置，其中上述对向电极电位线是经由比起构成上述对向电极电位线及上述接地电位线之导电膜为高电阻之膜所构成之放电电阻，而电性连接于上述接地电位线。 ;4.如申请专利范围第3项所记载之光电装置，其中在上述画像信号线及上述对向电极电位线中之至少一方配线中，该配线之一端是电性连接于配置在上述周边区域之外部电路连接端子，该配线之另一端是经由上述放电电阻而电性连接于上述接地电位线。 ;5.如申请专利范围第2项所记载之光电装置，其中在上述画像信号线及对向电极电位线中之至少一方之配线中，上述至少一方之配线之一端是电性连接于配置在上述周边区域之外部连接端子，在上述至少一方之配线之途中，设置有静电保护电路及输入保护电路中之至少一方的保护电路，上述至少一方之配线于上述至少一方之保护电路内，是经由上述放电电阻而电性连接于上述接地电位线。 ;6.如申请专利范围第2项所记载之光电装置，其中在上述画像信号线及对向电极电位线中之至少一方之配线中，上述至少一方之配线之一端是电性连接于配置在上述周边区域之外部连接端子，在上述至少一方之配线之途中，设置有静电保护电路及输入保护电路中之至少一方的保护电路，上述至少一方之配线，在由上述外部电路连接端子观看时较上述至少一方之保护电路远之侧，是经由上述放电电阻而被电性连接于上述接地电位线。 ;7.如申请专利范围第2项至第6项中之任一项所记载之光电装置，其中上述对向电极电位线及上述画像信号线是经由上述放电电阻而互相电性连接于相同之上述接地电位线。 ;8.如申请专利范围第1项所记载之光电装置，其中上述放电电阻是由半导体膜所构成，与对构成形成上述画素部或是上述周边电路之至少一部份之半导体元件之半导体膜所掺杂之杂质不同的杂质，是被掺杂于构成上述放电电阻之半导体膜。 ;9.如申请专利范围第1项所记载之光电装置，其中被引绕在上述基板上之配线，包含有经由层间绝缘膜通过上述放电电阻之上层侧或是下层侧之配线部分。 ;10.如申请专利范围第9项所记载之光电装置，其中上述画像信号线是由供给被串并联展开之多数画像信号之多数画像信号线所构成，上述多数画像信号线各个经由多数上述放电电阻之各个而电性连接于上述接地电位线，上述多数放电电阻之电阻之长度及宽度是被调整在特定范围内，上述配线部分相对于上述所有的多数放电电阻是被重叠。 ;11.如申请专利范围第2项所记载之光电装置，其中上述放电电阻是由被掺杂杂质之半导体膜所构成，在上述放电电阻，和上述画像信号线及上述对向电极电位线之至少一方的连接部，局部性存在有由比上述放电电阻更高浓度地掺杂杂质之上述半导体膜所构成之部分。 ;12.一种光电装置之制造方法，为制造申请专利范围第1项至第11项中之任一项所记载之光电装置之光电装置之制造方法，其特征为：在基板上形成画素部、周边电路、外部电路连接端子、引绕配线及放电电阻之第1形成工程；在对向基板上形成对向电极之第2形成工程；互相贴合上述基板及上述对向基板之贴合工程，上述第1形成工程具有以第1浓度对构成形成上述画素部或是上述周边电路之至少一部份之半导体元件的第1半导体膜，掺杂杂质的第1掺杂工程；和与该第1掺杂工程不同之工程，以第2浓度对构成上述放电电阻之第2半导体膜掺杂杂质之第2掺杂工程。 ;13.如申请专利范围第12项所记载之光电装置之制造方法，其中在上述第1形成工程中，上述第1及第2半导体膜是于上述第1及第2掺杂工程之前，互相以相同工程被成膜或图案制作。 ;14.如申请专利范围第12项或第13项所记载之光电装置之制造方法，其中在上述第1形成工程中，于实施上述第1掺杂工程时，上述第2半导体膜是藉由用以阻止掺杂上述第1浓度之杂质的第1抗蚀层而被覆盖。 ;15.如申请专利范围第14项所记载之光电装置之制造方法，其中在上述第1形成工程中，上述第2掺杂工程是以在上述放电电阻和上述画像信号线及上述对向电极电位线之至少一方之连接部，局部性存在由比上述放电电阻更高浓度地掺杂杂质之上述半导体所构成之部分之方式，经由使比藉由上述第1抗蚀层所覆盖之区域更宽广之区域予以露出之第2抗蚀层而以上述第2浓度执行杂质掺杂。 ;16.如申请专利范围第12项所记载之光电装置之制造方法，其中上述被引绕之配线，包含在上述基板上经由层间绝缘膜通过上述放电电阻之上层侧或下层侧之配线部分，上述画像信号线是由供给被串并联展开之多数画像信号之多数画像信号线所构成，该多数画像信号线各个经由上述放电电阻以多数放电电阻中所对应之一个的放电电阻，而被电性连接于上述接地电位线，上述多数放电电阻之电阻长及电阻宽是被调整在特定范围内，上述配线部分相对于所有上述多数放电电阻是被重叠，上述第2掺杂工程是以相同工程掺杂上述多数放电电阻。 ;17.一种电子机器，其特征为：具备有申请专利范围第1项至第11项中之任一项所记载之光电装置。;第1图是表示本发明之第1实施形态所涉及之液晶装置之全体构成之平面图。;第2图是表示第1图之H-H'之剖面图。;第3图是表示本发明之第1实施形态所涉及之液晶装置之重要部位之构成的平面图。;第4图是任意画素开关用之TFT的剖面图。;第5图是第3图之C1之部分扩大平面图。;第6图是第5图之A-A'剖面图。;第7图是放电电阻及画素开关用之TFT之制造工程(其1)。;第8图是放电电阻及画素开关用之TFT之制造工程图(其2)。;第9图是与第1实施形态所涉及之变形例之第5图相同主旨之图式。;第10图是与第1变形例之第6图相同主旨之剖面图。;第11图是与第2变形例之第6图相同主旨之剖面图。;第12图是表示第1实施形态之液晶装置之制造方法的流程图。;第13图是表示适用光电装置之电子机器之一例的投影机之构成的平面图。;第14图是表示适用光电装置之电子机器之一例的个人电脑之构成的斜视图。;第15图是表示适用光电装置之电子机器之一例的行动电话之构成的斜视图。;第16图是表示第2实施形态所涉及之光电装置之静电保护电路及放电电阻之电性构成之电路图。;第17图是表示第2实施形态所涉及之光电装置之静电保护电路及放电电阻之具体性构成之平面图。