太阳能电池元件结构

摘要

本创作系揭露一种太阳能电池元件结构，其系为双面透明CIS/CISe型太阳能电池元件结构，包含一基板、一阳极层、一P型材料层、一N型材料层、一抗反射层及一阴极层。其中阳极层系设于基板上，为一透明导电薄膜，而P型材料层则设于阳极层上，N型材料层系为一缓冲薄膜层并设于P型材料层上，抗反射层则设于N型材料层上，阴极层则设于抗反射层上。

主权项

1.一种太阳能电池元件结构，其包含：一基板；一阳极层，设于该基板上，系为一透明导电薄膜(Transparent Conductive Oxide，TCO)；一P型材料层，设于该阳极层上；一N型材料层，其系为一缓冲薄膜层，设于该P型材料层上；一抗反射层，设于该N型材料层上；以及一阴极层，设于该抗反射层上。 ;2.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池元件结构，其中该基板系为透明玻璃、金属箔或高分子聚合物。 ;3.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池元件结构，其中该透明导电薄膜系为氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(In2 O3-SnO2，ITO)、氧化铝锌(Al2 O3-ZnO，AZO)、氧化铟锌(In2 O3-ZnO，IZO)、掺杂硼之氧化锌(Boron-doped ZnO，BZO)、氧化铟镁(MgO-In2 O3)、氧化镉(CdO)、掺杂镉之氧化锡(CdO-SnO2)、掺杂氟之氧化锡(Fluorine-doped SnO2，FTO)、氧化锡锑(SnO2-Sb2 O3)、氧化锡镓(SnO2-Ga2 O3)、氧化锌镓(Ga2 O3-ZnO)、氧化铟镓锌(In2 O3-Ga2 O3-ZnO，IGZO)、氧化铬铜(CuCrO2)、氧化锶铜(SrCu2 O2)或二氧化铜铝(CuAlO2)。 ;4.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池元件结构，其中该P型材料层系为二硒化铜铟(CuInSe2，CISe)、二硒化铜铟镓(Cu(Inx Ga1-x)Se2，CIGSe)、二硫化铜铟(CuInS2，CIS)、二硫化铜铟镓(Cu(Inx Ga1-x)S2，CIGS)、硫硒化铜铟镓(Cu(Inx Ga1-x)SeS)或0-1.0at%钠元素(Na)之硫化物/硒化物/硫硒化物。 ;5.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池元件结构，其中该N型材料层系为氧化锌(ZnO)、硫化锌(ZnS)、氧化锌镁(Znx Mg1-x O)或氧硫氢氧化锌(Zn(O,S,OH)x)。 ;6.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池元件结构，其中该抗反射层系为氧化铝锌(AZO)、含氧化钛的氧化矽(SiO2-TiO2)、氮化矽(Si3 N4)、氧化铌(NbOx)、氟化镁(MgF2)或含氧化矽的氟化镁(MgF2-SiO2)。 ;7.如申请专利范围第1项所述之太阳能电池元件结构，其中该阴极层系为金属铝、铝合金、氧化铟锡(In2 O3-SnO2，ITO)、氧化铝锌(Al2 O3-ZnO，AZO)、氧化铟锌(In2 O3-ZnO，IZO)、掺杂氟之氧化锡(Fluorine-doped SnO2，FTO)、氧化铟镓锌(In2 O3-Ga2 O3-ZnO，IGZO)或二氧化铜铝(CuAlO2)。 ;8.一种太阳能电池元件结构，其包含：一基板；一阴极层，设于该基板上；一N型材料层，其系为一缓冲薄膜层，设于该阴极层上；一P型材料层，设于该N型材料层上；一抗反射层，设于该P型材料层上；以及一阳极层，设于该抗反射层上，系为一透明导电薄膜(Transparent Conductive Oxide，TCO)。 ;9.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池元件结构，其中该基板系为透明玻璃、金属箔或高分子聚合物。 ;10.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池元件结构，其中该透明导电薄膜系为氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(In2 O3-SnO2，ITO)、氧化铝锌(Al2 O3-ZnO，AZO)、氧化铟锌(In2 O3-ZnO，IZO)、掺杂硼之氧化锌(Boron-doped ZnO，BZO)、氧化铟镁(MgO-In2 O3)、氧化镉(CdO)、掺杂镉之氧化锡(CdO-SnO2)、掺杂氟之氧化锡(Fluorine-doped SnO2，FTO)、氧化锡锑(SnO2-Sb2 O3)、氧化锡镓(SnO2-Ga2 O3)、氧化锌镓(Ga2 O3-ZnO)、氧化铟镓锌(In2 O3-Ga2 O3-ZnO，IGZO)、氧化铬铜(CuCrO2)、氧化锶铜(SrCu2 O2)或二氧化铜铝(CuAlO2)。 ;11.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池元件结构，其中该P型材料层系为二硒化铜铟(CuInSe2，CISe)、二硒化铜铟镓(Cu(Inx Ga1-x)Se2，CIGSe)、二硫化铜铟(CuInS2，CIS)、二硫化铜铟镓(Cu(Inx Ga1-x)S2，CIGS)、硫硒化铜铟镓(Cu(Inx Ga1-x)SeS)或0-1.0at%钠元素(Na)之硫化物/硒化物/硫硒化物。 ;12.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池元件结构，其中该N型材料层系为氧化锌(ZnO)、硫化锌(ZnS)、氧化锌镁(Znx Mg1-x O)或氧硫氢氧化锌(Zn(O,S,OH)x)。 ;13.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池元件结构，其中该抗反射层系为氧化铝锌(AZO)、含氧化钛的氧化矽(SiO2-TiO2)、氮化矽(Si3 N4)、氧化铌(NbOx)、氟化镁(MgF2)或含氧化矽的氟化镁(MgF2-SiO2)。 ;14.如申请专利范围第8项所述之太阳能电池元件结构，其中该阴极层系为金属铝、铝合金、氧化铟锡(In2 O3-SnO2，ITO)、氧化铝锌(Al2 O3-ZnO，AZO)、氧化铟锌(In2 O3-ZnO，IZO)、掺杂氟之氧化锡(Fluorine-doped SnO2，FTO)、氧化铟镓锌(In2 O3-Ga2 O3-ZnO，IGZO)或二氧化铜铝(CuAlO2)。;第1图系为习知之太阳能电池元件结构之示意图；第2图系为本创作之太阳能电池元件结构之示意图；以及第3图系为本创作之太阳能电池元件结构之两段式硒化法(两段式硫化法)、三段式硒化法(三段式硫化法)之流程示意图。