互补式金属氧化层半导体感测封装结构

摘要

一种互补式金属氧化层半导体感测封装结构，其包含一具有感测区、封装部及多数接点之感测晶片；设于感测晶片上之第一介电层；多数设于第一介电层上之布线区，各布线区系以多数接脚与各接点连接，并于各布线区上分别设有锡球；设于各布线区间之第二介电层；以及一设于各布线区一面上之保护层。藉此，可使本创作省略印刷电路板及引线键合之设计，达到体积缩小、成本降低以及利于后续组装之功效。

主权项

1.一种互补式金属氧化层半导体感测封装结构，包括有：一感测晶片，其一面上系具有感测区，且该感测晶片之一面上系设有一封装部，并于感测晶片上设有多数接点；第一介电层，系设于感测晶片之另面上；多数布线区，系设于第一介电层上，且各布线区系以多数接脚与各接点连接，并于各布线区上分别设有锡球；第二介电层，系设于各布线区之间；以及一保护层，系设于各布线区之一面上。 ;2.依申请专利范围第1项所述之互补式金属氧化层半导体感测封装结构，其中，该封装部至少包含有一涂布于感测晶片上之黏着层、及一设于黏着层上之透光材。 ;3.依申请专利范围第1项所述之互补式金属氧化层半导体感测封装结构，其中，该封装部至少包含有一涂布于感测晶片上之黏着层、及一设于黏着层上之透光材，而该黏着层与感测区之间系具有一空隙。 ;4.依申请专利范围第2或3项所述之互补式金属氧化层半导体感测封装结构，其中，该透光材系可为玻璃。 ;5.依申请专利范围第1项所述之互补式金属氧化层半导体感测封装结构，其中，该封装部系可为一涂布于感测晶片上之透光胶层。 ;6.依申请专利范围第1项所述之互补式金属氧化层半导体感测封装结构，其中，各接脚系以矽穿孔技术(Through Silicon Via)连接各布线区与各接点。 ;7.依申请专利范围第1项所述之互补式金属氧化层半导体感测封装结构，其中，各布线区与锡球之间系分别设有导体部。 ;8.依申请专利范围第1项所述之互补式金属氧化层半导体感测封装结构，其中，各布线区系可为单层或多层。;第1图，系本创作第一实施例之立体外观示意图。;第2图，系本创作第一实施例之立体外观示意图。;第3图，系本创作第一实施例之剖面状态示意图。;第4图，系本创作第二实施例之剖面状态示意图。;第5图，系本创作第三实施例之剖面状态示意图。