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发明名称
Method for forming gate of nonvolatile memory device
摘要
申请公布号
KR100973094(B1)
申请公布日期
2010.07.29
申请号
KR20030068460
申请日期
2003.10.01
申请人
发明人
分类号
H01L27/115
主分类号
H01L27/115
代理机构
代理人
主权项
地址
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