发明名称 |
SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING INTERLAYER CONNECTION AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
摘要 |
<p>Ein Handling-Wafer wird mit einer Metallschicht (2) versehen und über eine Verbindungsschicht (12) mit der Rückseite eines IC-Wafers (3) verbunden. Nach dem Ätzen eines Kontaktloches (7) in den IC-Wafer und dem Aufbringen einer Metallisierung (13), die die Metallschicht (2) mit einer oberseitigen Anschlussmetallschicht (14) verbindet, wird der Handling- Wafer entfernt, so dass eine rückseitige Kontaktfläche (17) der Metallschicht freigelegt ist. Die so gebildete Durchkontaktierung ermöglicht eine beliebige Positionierung des Rückseitenkontaktes ohne aufwendigen Rückseitenprozess.</p> |
申请公布号 |
WO2010083922(A1) |
申请公布日期 |
2010.07.29 |
申请号 |
WO2009EP67299 |
申请日期 |
2009.12.16 |
申请人 |
AUSTRIAMICROSYSTEMS AG;SCHRANK, FRANZ;KRAFT, JOCHEN |
发明人 |
SCHRANK, FRANZ;KRAFT, JOCHEN |
分类号 |
H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|