Halbleiterschaltung mit Durchkontaktierung und Verfahren zur Herstellung vertikal integrierter Schaltungen

摘要

Halbleiterbauelemente (S1, S2) sind mittels einer Verbindungsschicht (5) miteinander verbunden. Eine Anschlusskontaktschicht (17) ist über eine Metallisierung (11) in einem Kontaktloch (14) mit einer Anschlussmetallschicht (12) verbunden. Die Anschlusskontaktschicht und die Anschlussmetallschicht können mit einer Metallebene (7) einer Verdrahtung verbunden sein oder mit einer Kontaktfläche zum Anschluss eines weiteren Halbleiterbauelementes.