发明名称 |
集成电路器件匹配的构图方法 |
摘要 |
本发明揭示了一种集成电路器件匹配的构图方法,将集成电路中两个以上器件在温度梯度、应力及工艺掺杂均匀度误差方面达到匹配,其特征在于所述构图方法为:I、将所述两个以上的器件按序均匀排列成行;II、将成行的器件线性位移一位;III、重复步骤II,重复次数较之于器件总数少两次;IV、将各次线性位移所得的成行器件纵向合成器件阵列;V、对器件阵列镜像、移动、合并,得到消除二阶及二阶以下梯度的器件匹配版图。本发明在制造方技术水平一定的情况下,采用消减少梯度影响的版图结构及工艺,既能有效减少器件性能在相同环境下的失配,又能有效减少器件性能在不同环境下的失配,进一步提升器件在各种情况下的匹配性。 |
申请公布号 |
CN101789049A |
申请公布日期 |
2010.07.28 |
申请号 |
CN201010117285.9 |
申请日期 |
2010.03.04 |
申请人 |
苏州锐调科技有限公司 |
发明人 |
何程明 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏科专利代理有限责任公司 32102 |
代理人 |
陈忠辉 |
主权项 |
集成电路器件匹配的构图方法,将集成电路中两个以上器件在温度梯度、应力梯度及工艺掺杂均匀度误差方面达到匹配,其特征在于:对于数量为N个器件匹配二阶以下梯度,使用总数为2N2个子单元,N≥2;所述构图方法为:I、将所述N个子单元按序均匀排列成行;II、将成行的子单元线性位移一位;III、重复步骤II,重复次数较之于器件总数少两次;IV、将各次线性位移所得的成行子单元纵向合成器件阵列;V、对器件阵列镜像、移动、合并,得到消除二阶以下梯度的器件匹配版图。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市独墅湖高教区林泉街399号明德苑3F |