| 发明名称 | 硅的蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其可以提高硅的蚀刻速度。在该蚀刻方法中，在含有氟且不具有与硅的反应性的作为氟系原料的CF4中，添加露点成为10℃～40℃的量的水；使得到的低露点氟系原料通过大气压附近的等离子空间(26)，这样，生成含有非自由基的作为氟系中间气体的COF4且氟原子数(F)与氢原子数(H)之比为(F)/(H)>1.5的氟系反应性气体；向温度设定在10℃～50℃的被处理物喷射含有可以使硅氧化的作为氧化性气体的O3和在所述等离子空间(26)中生成的氟系反应性气体的反应性气体；氟系中间气体的COF4与水反应进而成为能够对氧化硅进行蚀刻的HF等氟系蚀刻气体。 | ||
| 申请公布号 | CN101427353B | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN200780014194.9 | 申请日期 | 2007.04.23 |
| 申请人 | 积水化学工业株式会社 | 发明人 | 石井彻哉;中岛节男;大塚智弘 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H05H1/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种蚀刻方法，其是蚀刻包含硅的被处理物的方法，其特征在于，分别生成可以使硅氧化的氧化性气体和氟系反应性气体，向温度设定在10℃～50℃的被处理物喷射，所述氟系反应性气体含有非自由基氟系中间气体，并且该氟系反应性气体的氟原子数(F)与氢原子数(H)之比为(F)/(H)＞1.5，所述氟系中间气体与水反应从而生成能够对氧化硅进行蚀刻的氟系蚀刻气体，利用该氟系蚀刻气体对氧化硅的蚀刻反应来生成水。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||