| 发明名称 | 用于化学机械抛光后清洗的组合物 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种用于化学机械抛光后清洗(post CMPcleaning)的组合物。本发明的组合物为碱性，其可于化学机械抛光制程后移除晶片表面上的唑类腐蚀抑制剂。本发明的组合物能有效移除唑类化合物、增加铜表面的湿润性且可明显改善化学机械抛光后的缺陷移除率。 | ||
| 申请公布号 | CN101787335A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN200910005276.8 | 申请日期 | 2009.01.22 |
| 申请人 | 巴斯夫公司 | 发明人 | 洪庭旭;安德烈亚斯·克利普;苏国祯;涂胜宏 |
| 分类号 | C11D7/32(2006.01)I | 主分类号 | C11D7/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 孟锐 |
| 主权项 | 一种用于化学机械抛光后清洗的组合物，其包含以组合物总重计约1至约30重量％的水溶性胺类，约10至约59重量％的水溶性有机溶液，及约30至约89重量％的去离子水。 | ||
| 地址 | 德国路德维希港 | ||