发明名称 |
太阳能电池的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了太阳能电池的制造方法,上述太阳能电池包括光入射侧的发挥作为功率提取电极的功能的上部电极,上述上部电极包括将ZnO作为基本构成元素的透明导电膜,上述制造方法包括向具备上述透明导电膜的形成材料的靶施加340V以下的溅射电压的同时,使上述靶的表面产生水平磁场来进行溅射,从而形成上述上部电极的工序。 |
申请公布号 |
CN101790795A |
申请公布日期 |
2010.07.28 |
申请号 |
CN200880104798.7 |
申请日期 |
2008.09.17 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
高桥明久;石桥晓;杉浦功;高泽悟 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
王琦;王珍仙 |
主权项 |
一种太阳能电池的制造方法,所述太阳能电池包括光入射侧的发挥作为功率提取电极的功能的上部电极,所述上部电极包括将ZnO作为基本构成元素的透明导电膜,其特征在于,所述制造方法包括向具备所述透明导电膜的形成材料的靶施加340V以下的溅射电压的同时,使所述靶的表面产生水平磁场来进行溅射,从而形成所述上部电极的工序。 |
地址 |
日本神奈川县 |