发明名称 |
半导体存储器 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体存储器。该半导体存储器包括:存储器内核;刷新控制电路;子状态机,发出刷新许可、读取许可和写入许可;以及主状态机,根据所述刷新许可、读取许可和写入许可分别使存储器内核执行刷新操作、读取操作和写入操作。子状态机具有:就绪状态,是在没有提供读取命令时子状态机所转换到的状态;保留状态,是子状态机响应于读取命令从就绪状态转换到的、并在该转换后预定时间内发出读取许可的状态。主状态机具有:空闲状态,在该状态下,使存储器内核处于不工作状态;读取状态,在该状态下,使存储器内核执行读取操作;写入状态,在该状态下,使存储器内核执行写入操作;以及刷新状态,在该状态下,使存储器内核执行刷新操作。 |
申请公布号 |
CN101261877B |
申请公布日期 |
2010.07.28 |
申请号 |
CN200810092503.0 |
申请日期 |
2003.02.20 |
申请人 |
富士通微电子株式会社 |
发明人 |
中村俊和;江渡聪;三代俊哉 |
分类号 |
G11C11/406(2006.01)I;G11C11/4076(2006.01)I;G11C7/22(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/406(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉 |
主权项 |
一种半导体存储器,其包括:存储器内核,该存储器内核具有需要刷新以保持数据的存储单元;刷新控制电路,该刷新控制电路以预定的时间间隔产生刷新命令,以刷新所述存储单元;子状态机,该子状态机根据刷新命令、从外部提供的读取命令和写入命令分别发出刷新许可、读取许可和写入许可,以操作所述存储器内核;以及主状态机,该主状态机根据所述刷新许可使所述存储器内核执行刷新操作,根据所述读取许可使所述存储器内核执行读取操作,并且根据所述写入许可使所述存储器内核执行写入操作,其中:所述子状态机具有就绪状态和保留状态,所述就绪状态是在没有提供读取命令时所述子状态机所转换到的状态,所述保留状态是所述子状态机响应于所述读取命令从所述就绪状态转换到的、并在该转换后预定时间发出读取许可的状态;所述主状态机具有:空闲状态,在该状态下,所述主状态机使所述存储器内核处于不工作状态;读取状态,在该状态下,所述主状态机使所述存储器内核执行读取操作;写入状态,在该状态下,所述主状态机使所述存储器内核执行写入操作;以及刷新状态,在该状态下,所述主状态机使所述存储器内核执行刷新操作。 |
地址 |
日本东京都 |