发明名称 |
固态成像装置及其制造方法以及成像设备 |
摘要 |
公开了一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和固态成像设备。该固态成像装置包括下述元件。光电转换部分设置在半导体层中,该半导体层具有光通过其进入光电转换部分的第一表面。信号电路部分设置在半导体层相对于第一表面的第二表面中。信号电路部分处理由光电转换部分的光电转换获得的信号电荷。反射层设置在半导体层相对于第一表面的第二表面上。反射层将传输通过光电转换部分的光反射回。反射层由单独的钨层或者包含钨层的叠层组成。 |
申请公布号 |
CN101789438A |
申请公布日期 |
2010.07.28 |
申请号 |
CN201010129350.X |
申请日期 |
2007.12.10 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
秋山健太郎 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I;H04N5/225(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种固态成像装置,包括:光电转换部分,设置在半导体层中,该半导体层具有光通过其进入该光电转换部分的第一表面;信号电路部分,设置在该半导体层相对于该第一表面的第二表面中,该信号电路部分处理由该光电转换部分的光电转换获得的信号电荷;和反射层,设置在该半导体层相对于该第一表面的该第二表面上,该反射层将传输通过该光电转换部分的光反射回,其中该反射层通过填充设置在该光电转换部分之上的绝缘层中的孔形成。 |
地址 |
日本东京都 |