发明名称 |
一种抗偏差的电流偏置电路 |
摘要 |
本发明公开了一种抗PVT偏差的电流偏置电路,将MOS管输出的偏置电流加在片外精密电阻上,对精密电阻上的电压进行检测,然后反馈回去控制偏置产生电路,进而实现对偏置电流的校准。本发明提供的电流偏置能抗工艺、供电电压和温度造成的偏差。 |
申请公布号 |
CN101788834A |
申请公布日期 |
2010.07.28 |
申请号 |
CN201010034244.3 |
申请日期 |
2010.01.15 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
赵博;杨华中 |
分类号 |
G05F1/46(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/46(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
胡小永 |
主权项 |
一种抗偏差的电流偏置电路,其特征在于,所述电流偏置电路包括:一个片外精密电阻;四个或四个以上的PMOS管,这些PMOS管组成偏置电流管,这些PMOS管的栅极相连、并且源极相连后连接到电源,其中包括栅极和漏极相连的第一PMOS管、漏极通过所述片外精密电阻与地连接的第二PMOS管、漏极与模数转换器的偏置电流输入端连接的第三PMOS管、漏极与电流偏置电路的输出端连接的第四PMOS管;一个数控可变电阻阵列,连接在第一PMOS管的漏极和地之间;一个模数转换器,其模拟电压输入端连接所述第二PMOS管的漏极,数字输出端连接所述数字校正电路;一个数字校正电路,其输入端连接模数转换器的输出端,其输出端连接所述数控可变电阻阵列的控制输入端。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱 |