发明名称 一种抗偏差的电流偏置电路
摘要 本发明公开了一种抗PVT偏差的电流偏置电路,将MOS管输出的偏置电流加在片外精密电阻上,对精密电阻上的电压进行检测,然后反馈回去控制偏置产生电路,进而实现对偏置电流的校准。本发明提供的电流偏置能抗工艺、供电电压和温度造成的偏差。
申请公布号 CN101788834A 申请公布日期 2010.07.28
申请号 CN201010034244.3 申请日期 2010.01.15
申请人 清华大学 发明人 赵博;杨华中
分类号 G05F1/46(2006.01)I 主分类号 G05F1/46(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 胡小永
主权项 一种抗偏差的电流偏置电路,其特征在于,所述电流偏置电路包括:一个片外精密电阻;四个或四个以上的PMOS管,这些PMOS管组成偏置电流管,这些PMOS管的栅极相连、并且源极相连后连接到电源,其中包括栅极和漏极相连的第一PMOS管、漏极通过所述片外精密电阻与地连接的第二PMOS管、漏极与模数转换器的偏置电流输入端连接的第三PMOS管、漏极与电流偏置电路的输出端连接的第四PMOS管;一个数控可变电阻阵列,连接在第一PMOS管的漏极和地之间;一个模数转换器,其模拟电压输入端连接所述第二PMOS管的漏极,数字输出端连接所述数字校正电路;一个数字校正电路,其输入端连接模数转换器的输出端,其输出端连接所述数控可变电阻阵列的控制输入端。
地址 100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱
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