一种利用单芯炉冶炼碳化硅的方法

摘要

本发明涉及一种利用单芯炉冶炼碳化硅的方法，克服了利用现有单芯炉的板状体炉芯在碳化硅生产中带来的产品产量和质量低下，能耗大，控制技术要求高的缺陷。包含以下步骤：1]加工炉芯，在炉芯外导热表面形成中心气化区及周边烧结区；2]使炉芯中心气化区厚度大于炉芯两侧厚度；3]炉芯两端用电极通电加热至炉芯中心气化区发生气化蒸发现象，以充分冶炼碳化硅。本发明具有能够在冶炼碳化硅的生产中提高产品产量和质量，同时降低能耗、控制技术要求的优点。

主权项

一种利用单芯炉冶炼碳化硅的方法，其特征在于，包含以下步骤：1]、加工炉芯(1)，在炉芯(1)外导热表面形成中心气化区(Ⅰ)及周边烧结区(Ⅱ)；2]、使炉芯中心气化区厚度(H)大于炉芯两侧厚度(M)；3]、炉芯(1)两端用电极通电加热至炉芯中心气化区发生气化蒸发现象，以充分冶炼碳化硅。