发明名称 |
差分式高精度加速度计的加工方法 |
摘要 |
本发明公开了一种差分式高精度加速度计的加工方法,加速度计包括自上而下依次连接的电极盖板、梁-质量块结构的可动硅结构组件、下电极盖板,该方法包括:采用玻璃片或单晶硅圆片作为基片,加工所述上电极板和下电极板;以双器件层SOI单晶硅圆片作为基片,加工所述梁-质量块结构的可动硅结构组件;将基片加工的上、下电极板与所述可动硅结构组件基于键和方式连接。本发明采用一片单晶硅即完成了可动硅结构组件的加工,避免了通常采用的高温硅-硅键合工艺制备可动硅结构组件,降低了工艺难度,降低了最高工艺温度,消除了硅-硅键合引入的键合应力问题。并且,梁-质量块结构具有通用性。 |
申请公布号 |
CN101786593A |
申请公布日期 |
2010.07.28 |
申请号 |
CN201010034341.2 |
申请日期 |
2010.01.18 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
高成臣;胡启方;郝一龙 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I;G01P15/125(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市商泰律师事务所 11255 |
代理人 |
麻吉凤;毛燕生 |
主权项 |
一种差分式高精度加速度计的加工方法,所述加速度计包括自上而下依次连接的电极盖板、梁-质量块结构的可动硅结构组件、下电极盖板,其特征在于,所述方法包括如下步骤:电极板加工步骤,采用玻璃片或单晶硅圆片作为基片,加工所述上电极板和下电极板;可动硅结构组件加工步骤,以双器件层SOI单晶硅圆片作为基片,加工所述梁-质量块结构的可动硅结构组件;连接步骤,将基片加工的上、下电极板与所述可动硅结构组件基于键和方式连接。 |
地址 |
100871 北京市海淀区中关村颐和园路5号 |