| 发明名称 | 氮化物基HEMT的高温离子注入 | ||
| 摘要 | 公开了一种用于形成高电子迁移率晶体管的方法。该方法包括下面的步骤：利用当被注入时在III族氮化物层和接点金属之间产生改善的欧姆接触的离子，在限定位置处对所述III族氮化物层进行注入；在如下温度下进行注入：该温度高于室温，并足够热以降低对所述III族氮化物层产生的损伤量，但是低于将发生引起栅极处的泄漏或外延层解离的表面问题的温度。向所述III族氮化物层上进行注入的所述限定位置添加从由钛、铝、镍及其合金构成的组中选择出的欧姆接点。 | ||
| 申请公布号 | CN101790779A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN200880104503.6 | 申请日期 | 2008.06.20 |
| 申请人 | 科里公司 | 发明人 | 亚利山大·苏沃洛夫;斯科特·T·夏普德 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 | 代理人 | 刘新宇;陈立航 |
| 主权项 | 一种用于形成高电子迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：利用当被注入时在III族氮化物层和接点金属之间产生改善的欧姆接触的离子，在限定位置处对所述III族氮化物层进行注入；在如下温度下进行注入：该温度高于室温，并足够热以降低对所述III族氮化物层产生的损伤量，但是低于将发生引起栅极处的泄漏或外延层解离的表面问题的温度；以及向所述III族氮化物层上进行注入的所述限定位置添加欧姆接点。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||